[發明專利]一種高K和金屬柵極的制作方法

無效

• 申請號: 201110386897.2
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102427032A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 周軍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種高K介質和金屬柵極的制作方法，其特征在于，包括：

步驟1，在形成有若干場隔離區的硅襯底上淀積柵極堆層，所述柵極堆層底部為高K介質，所述高K介質上方為多晶硅；

步驟2，刻蝕所述柵極堆層，形成倒梯形柵極，所述倒梯形柵極位于兩相鄰場隔離區中間；

步驟3，淺結注入并退火，源漏注入并退火，形成成對的源、漏極；

步驟4，淀積介質材料覆蓋所述倒梯形柵極；

步驟5，以所述倒梯形柵極為停止層進行化學機械研磨；

步驟6，去除位于高K介質上方的多晶硅；

步驟7，淀積覆蓋層覆蓋介質材料以及暴露的高K介質；

步驟8，淀積金屬柵極材料；

步驟9，制作金屬柵極。

2.根據權利要求1所述的高K介質和金屬柵極的制作方法，其特征在于，所述柵極堆層包括二氧化硅。

3.根據權利要求1所述的高K介質和金屬柵極的制作方法，其特征在于，所述金屬柵極材料為鋁。

4.根據權利要求1所述的高K介質和金屬柵極的制作方法，其特征在于，所述步驟9包括：

步驟91，以覆蓋層為停止層，刻蝕形成T型金屬柵極。

5.根據權利要求1所述的高K介質和金屬柵極的制作方法，其特征在于，所述步驟9包括：

步驟92，以覆蓋層為停止層，化學機械研磨形成所述金屬柵極。

6.根據權利要求1所述的高K介質和金屬柵極的制作方法，其特征在于，所述覆蓋層包括氮化鈦。

7.一種高K介質和金屬柵極結構，其特征在于，包括：

形成有若干場隔離區的硅襯底，兩相鄰場隔離區之間具有一對源、漏極，所述源、漏極之間形成有溝道；

介質材料，位于所述源、漏極上方；

高K介質，位于所述溝道上方，所述高K介質左右兩端分別接觸介質材料；

所述介質材料和所述高K介質上覆蓋有一層覆蓋層；

所述覆蓋層位于所述溝道上方位置填充有金屬柵極。

8.根據權利要求7所述的高K介質和金屬柵極結構，其特征在于，所述金屬柵極為鋁。

9.根據權利要求7所述的高K介質和金屬柵極結構，其特征在于，所述金屬柵極為T型金屬柵極。

10.根據權利要求7所述的高K介質和金屬柵極結構，其特征在于，所述覆蓋層包括氮化鈦。