[發明專利]鈦鋯氧化物固溶體納米線陣列紫外光探測器及其制備方法

無效

• 申請號: 201110386056.1
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102437229A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 阮圣平;張敏;張海峰;劉彩霞;馮彩慧;周敬然;陳維友
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L31/108
• 分類號: H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列紫外光探測器，其特征在于：依次由透明導電玻璃襯底(4)、采用低溫極性界面水解法在襯底(4)上直接生長的一維Zr_xTi_1-xO₂納米線陣列(2)、在納米線陣列(2)上直接制備的Ag或Au金屬電極(1)構成，待探測的紫外光(3)從透明導電玻璃襯底(4)的一側入射。

2.如權利要求1所述的Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列紫外光探測器，其特征在于：透明導電玻璃襯底(4)的厚度為2～3mm，一維Zr_xTi_1-xO₂納米線陣列(2)的厚度為1～3μm，一維Zr_xTi_1-xO₂納米線材料中Zr與Ti的摩爾比為0.01～1∶1；金屬電極(1)的有效面積為1～5mm²，厚度為500～1000μm。

3.如權利要求1或2所述的Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列紫外光探測器的制備方法，其步驟如下：

(1)襯底的處理

首先分別用丙酮、乙醇棉球擦拭透明導電玻璃襯底，再將襯底依次置于丙酮、乙醇和去離子水中，分別超聲清洗5～8分鐘，最后用氮氣吹干；

(2)一維Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列的制備

采用低溫極性界面水解法制備一維Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列；

(3)制備Ag或Au金屬電極

將Ag漿或Au漿直接粘到一維Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列表面，引出電極引線，然后將器件至于烘箱中，在100～150℃烘干5～15分鐘，即得到帶有金屬電極的肖特基結構的Zr_xTi_1-xO₂納米線陣列紫外光探測器。

4.如權利要求3所述的Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列紫外光探測器的制備方法中，其特征在于：步驟(2)所述的采用低溫極性界面水解法制備一維Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列，是在室溫條件下將5～20ml甲苯加入到20～40ml的聚四氟乙烯反應釜中，將1～2ml鋯酸四丁酯和鈦酸四丁酯的混合溶液加入到甲苯溶劑中，其中Zr與Ti的摩爾比為0.01∶1～1∶1，然后用注射器加入0.1～0.5ml的四氯化鈦，接著加入1～2ml濃鹽酸或醋酸水溶液，將經上述步驟處理過的透明導電玻璃襯底倒置在反應釜中，最后將反應釜置于120～200℃的反應室中密封2～8小時，從而在透明導電襯底上低溫生長出Zr_xTi_1-xO₂納米線陣列；反應釜自然降溫3～5小時，得到結晶良好、平整、緊密的一維Zr_xTi_1-xO₂固溶體納米線陣列，將已生長好的納米線陣列從反應釜中取出，靜置干燥后放入干燥塔中保存。