[發明專利]封裝基板結構及其制法

無效

• 申請號: 201110384315.7
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN103094243A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 莊建隆;吳柏毅;李孟宗;姜亦震
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種封裝基板結構，其包括：

基板，其一表面具有至少一電性接觸墊；

介電層，其形成于該基板的表面上，該介電層具有至少一第一開口與第二開口，其中，該第一開口對應外露該電性接觸墊，該第二開口對應設置于該第一開口的周緣；以及

金屬層，其對應形成于該電性接觸墊及該介電層上，且延伸至該第二開口的側壁上。

2.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該封裝基板結構還包括焊料凸塊，其形成于該金屬層上。

3.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該第二開口環設于該第一開口的周緣。

4.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該金屬層連續包覆該電性接觸墊、該第一開口的側壁、該第一開口與第二開口間的部份介電層及該第二開口的側壁。

5.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該第一開口為圓形，該第二開口為環形，且該第一開口與該第二開口為共圓心。

6.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該介電層包括第一子介電層與第二子介電層，該第一子介電層形成于該基板的表面上，該第二子介電層形成于該第一子介電層上，且具有該第一開口與第二開口，該第二開口暴露出部份的該第一子介電層。

7.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該第二開口的底端寬度至少為10微米。

8.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該第二開口的頂端寬度至少為20微米。

9.根據權利要求1所述的封裝基板結構，其特征在于，該第二開口為頂寬底窄。

10.一種封裝基板結構的制法，其包括：

提供一表面具有至少一電性接觸墊的基板，該表面上形成有介電層，且該介電層具有至少一對應外露該電性接觸墊的第一開口；

于該介電層上形成至少一第二開口，其中，第二開口對應設置于該第一開口的周緣；

于該介電層、電性接觸墊上形成金屬層，且該金屬層延伸至該第二開口的側壁上；以及

形成焊料凸塊于該金屬層上。

11.根據權利要求10所述的封裝基板結構的制法，其特征在于，形成該金屬層與焊料凸塊的步驟包括：

于該金屬層上形成具有多個阻層開孔的阻層，各該阻層開孔對應各該電性接觸墊，且各該阻層開孔的孔壁對應位于各該第二開口的內側壁上；

于各該阻層開孔中的金屬層上形成焊料凸塊；

移除該阻層；以及

蝕刻移除未被該焊料凸塊所覆蓋的金屬層。

12.根據權利要求11所述的封裝基板結構的制法，其特征在于，該制法還包括于移除該阻層后，進行回焊步驟。

13.根據權利要求10所述的封裝基板結構的制法，其特征在于，該介電層包括第一子介電層與第二子介電層，該第一子介電層形成于該基板的表面上，該第二子介電層形成于該第一子介電層上，且具有該第一開口與第二開口，該第二開口暴露出部份的該第一子介電層。

14.根據權利要求10所述的封裝基板結構的制法，其特征在于，該第二開口的底端寬度至少為10微米。

15.根據權利要求10所述的封裝基板結構的制法，其特征在于，該第二開口的頂端寬度至少為20微米。

16.根據權利要求10所述的封裝基板結構的制法，其特征在于，該第二開口為頂寬底窄。