[發明專利]一種無壓燒結合成高純度Ti3SiC2粉體的方法無效
| 申請號： | 201110384264.8 | 申請日： | 2011-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN102659106A | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發明（設計）人： | 李長生;楊鋒;唐華 | 申請（專利權）人： | 鎮江中孚復合材料有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/30 | 分類號： | C01B31/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 邱興天 |
| 地址： | 212006 江蘇省鎮江市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 燒結 合成 純度 ti sub sic 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種無壓燒結合成高純度Ti3SiC2粉體的方法，其特征在于，步驟如下：
（1）在容器中加入Ti、Si、C和Al單質粉末，加入酒精，控溫70℃，加熱攪拌1h以上，直至酒精蒸發干凈，得剩余粉末；其中，Ti、Si、C和Al的摩爾比為3:1:2:0.1；
（2）轉剩余粉末至管式爐，在氬氣氣氛下，1420℃燒結2~2.5h，自然降溫，得到Ti3SiC2粉體。
2.根據權利要求1所述的無壓燒結合成高純度Ti3SiC2粉體的方法，其特征在于：步驟（2）中，以10℃/min的速度加熱到1420℃，燒結2h。
3.根據權利要求1所述的無壓燒結合成高純度Ti3SiC2粉體的方法，其特征在于：所制備出的Ti3SiC2粉體厚度為10~20nm。
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