[發明專利]制備X射線衍射光學元件的方法

無效

• 申請號: 201110379973.7
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102402118A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 謝常青;方磊;朱效立;李冬梅;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F1/22
• 分類號: G03F1/22;G03F7/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，包括：

制備掩?；珹，所述掩?；珹上具有對應待制備X射線衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凸起；

在納米壓印基底B上旋涂感光光刻膠；

以所述掩膜基片A為掩膜，在所述感光光刻膠中壓印形成與所述多個條紋狀凸起互補的條紋狀凹槽；

在納米壓印基底B上所述衍射光學元件形狀的條紋狀凹槽內沉積第二金屬材料；

去除所述納米壓印基底B上殘余的感光光刻膠，從而在所述納米壓印基底B上形成由第二金屬材料構成的衍射光學元件。

2.根據權利要求1的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，所述以掩膜基片A為掩膜，在所述感光光刻膠中壓印形成與所述多個條紋狀凸起互補的條紋狀凹槽的步驟包括：

將所述掩?；珹置于所述納米壓印基底B上，所述掩?；珹上對應衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凸起朝向所述納米壓印基底B上的感光光刻膠；

在所述掩?；珹和所述納米壓印基底B的兩側施加壓力，所述衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凸起壓進所述感光光刻膠中；

用紫外線光照固化所述感光光刻膠，并從所述感光光刻膠中移除所述掩?；珹，從而在所述感光光刻膠上形成衍射光學元件形狀的條紋狀凹槽。

3.根據權利要求2的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，從感光光刻膠中移除掩?；珹的步驟包括：

在掩?；珹和納米壓印基底B之間通入氮氣，使掩模基片A和納米壓印基底B自動分離。

4.根據權利要求2的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，所述衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凸起的厚度為a；所述感光光刻膠的厚度為b，其中a＞b。

5.根據權利要求1的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，制備掩模基片A的步驟中，待制備衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凸起中每一個的寬度介于600nm至1um之間。

6.根據權利要求1至5中任一項的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，所述制備掩?；珹的步驟包括：

在石英片上旋涂電子束光刻膠；

利用電子束在電子束光刻膠上光刻出衍射光學元件的形狀；

對光刻后的電子束光刻膠進行顯影，在電子束光刻膠上形成對應衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凹槽；

在石英片上衍射光學元件形狀的凹槽內電鍍第一金屬材料；

去除石英片上殘余的電子束光刻膠，從而在石英片上露出由第一金屬材料形成對應衍射光學元件形狀的分離的多個條紋狀凸起，所述石英片和多個條紋狀凸起構成掩?；珹。

7.根據權利要求6的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，在掩?；珹上衍射光學元件形狀的凹槽內電鍍第一金屬材料的步驟中，第一金屬材料為鎳、金或者鎢。

8.根據權利要求1至5中任一項的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，

所述在納米壓印基底B上旋涂感光光刻膠的步驟之前還包括：在硅片上旋涂聚酰亞胺，固化后形成聚酰亞胺支撐薄膜；在聚酰亞胺支撐薄膜上沉積電鍍種子層，從而形成納米壓印基底B；

所述在納米壓印基底B上衍射光學元件形狀的凹槽內沉積第二金屬材料的步驟包括：在凹槽內電鍍第二金屬材料；

所述在去除納米壓印基底B上殘余的感光光刻膠的步驟之后還包括：濕法刻蝕納米壓印基底B背面X射線衍射光學元件對應位置的硅，露出聚酰亞胺支撐薄膜。

9.根據權利要求8的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，所述第二金屬材料為鎳、金或者鎢。

10.根據權利要求1至5中任一項的制備X射線衍射光學元件的方法，其特征在于，電子束光刻膠為ZEP-520A；感光光刻膠為S9920NX-H。