[發(fā)明專利]閃存及其數(shù)據(jù)更新方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110379669.2
• 申請(qǐng)日: 2011-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN102393835A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊光軍;孔蔚然;肖軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/02
• 分類號(hào): G06F12/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種閃存，其特征在于，包括：第一存儲(chǔ)陣列、第二存儲(chǔ)陣列和緩沖單元，所述第一存儲(chǔ)陣列和第二存儲(chǔ)陣列的結(jié)構(gòu)相同，且包含多個(gè)相對(duì)應(yīng)的扇區(qū)；其中，在對(duì)其中一個(gè)存儲(chǔ)陣列的某一個(gè)扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)更新時(shí)，另一個(gè)存儲(chǔ)陣列中相對(duì)應(yīng)的扇區(qū)作為寫入備份單元；

所述緩沖單元，用于在數(shù)據(jù)更新時(shí)，存儲(chǔ)從其中一個(gè)存儲(chǔ)陣列中讀出的數(shù)據(jù)，并將修改后的數(shù)據(jù)寫入另一個(gè)存儲(chǔ)陣列中相對(duì)應(yīng)的扇區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存，其特征在于，所述第一存儲(chǔ)陣列和第二存儲(chǔ)陣列中包含的扇區(qū)數(shù)相同。

3.如權(quán)利要求1所述的閃存，其特征在于，所述第一存儲(chǔ)陣列和第二存儲(chǔ)陣列中包含的扇區(qū)數(shù)不同。

4.如權(quán)利要求1所述的閃存，其特征在于，還包括：讀取單元，連接所述第一存儲(chǔ)陣列和第二存儲(chǔ)陣列，用于將所述閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)讀出。

5.如權(quán)利要求4所述的閃存，其特征在于，所述讀取單元包括：多個(gè)第一靈敏放大器，多個(gè)第二靈敏放大器，以及多個(gè)對(duì)應(yīng)連接所述第一靈敏放大器和第二靈敏放大器的與門電路；其中，

所述多個(gè)第一靈敏放大器，分別對(duì)應(yīng)連接第一存儲(chǔ)陣列的多條位線，通過(guò)感應(yīng)和放大各條位線上的信號(hào)變化得出第一存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；并將得出的第一存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)發(fā)送至對(duì)應(yīng)連接與門電路的第一輸入端；

所述多個(gè)第二靈敏放大器，分別對(duì)應(yīng)連接第二存儲(chǔ)陣列的多條位線，并通過(guò)感應(yīng)和放大各條位線上的信號(hào)變化得出第二存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；并將得出的第二存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)發(fā)送至對(duì)應(yīng)連接與門電路的第二輸入端；

所述多個(gè)與門電路，用于將接收到的第一輸入端和第二輸入端的數(shù)據(jù)進(jìn)行與邏輯處理，并將處理結(jié)果輸出，以讀出所述閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

6.如權(quán)利要求4所述的閃存，其特征在于，所述讀取單元包括：位線調(diào)整單元、電流鏡單元、比較單元以及輸出單元；

所述位線調(diào)整單元，連接第一存儲(chǔ)陣列與第二存儲(chǔ)陣列相對(duì)應(yīng)的位線節(jié)點(diǎn)，在對(duì)閃存進(jìn)行讀取操作時(shí)，將第一存儲(chǔ)陣列與第二存儲(chǔ)陣列相對(duì)應(yīng)的位線上的電流之和輸出至數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)；

所述電流鏡單元，連接所述數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)，用于對(duì)位線調(diào)整單元輸出的第一存儲(chǔ)陣列與第二存儲(chǔ)陣列相對(duì)應(yīng)的位線上的電流之和進(jìn)行鏡像，獲得鏡像電流，并將所述鏡像電流輸出至數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)；

所述比較單元，連接所述數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)，用于比較所述電流鏡單元輸出的鏡像電流與參考電流以得出比較結(jié)果，并將所述比較結(jié)果輸出至輸出單元；

所述輸出單元，基于所述比較單元輸出的比較結(jié)果輸出對(duì)應(yīng)的輸出數(shù)據(jù)。

7.如權(quán)利要求6所述的閃存，其特征在于，所述參考電流包括：第一存儲(chǔ)陣列的第一參考電流和第二存儲(chǔ)陣列的第二參考電流之和。

8.如權(quán)利要求6所述的閃存，其特征在于，所述電流鏡單元包括：柵極相連的輸入MOS管和鏡像MOS管，所述輸入MOS管和鏡像MOS管的源極連接電源；所述輸入MOS管的漏極與柵極連接，均連接至所述數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)，用于輸入第一存儲(chǔ)陣列與第二存儲(chǔ)陣列相對(duì)應(yīng)的位線上的電流之和；所述鏡像MOS管的漏極連接數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)，用于輸出鏡像電流。

9.如權(quán)利要求6所述的閃存，其特征在于，所述位線調(diào)整單元包括：可變?cè)鲆娣糯笃鳎约熬哂械谝欢恕⒌诙撕涂刂贫说恼{(diào)整晶體管；所述可變?cè)鲆娣糯笃鞯妮斎攵诉B接所述位線節(jié)點(diǎn)，輸出端連接調(diào)整晶體管的控制端；調(diào)整晶體管的第一端連接所述數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)，第二端連接所述位線節(jié)點(diǎn)。

10.如權(quán)利要求1所述的閃存，其特征在于，所述閃存的類型為或非閃存。

11.一種應(yīng)用權(quán)利要求1所述閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，包括：

檢測(cè)待更新的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的扇區(qū)，以確定所述待更新的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)的存儲(chǔ)陣列；

將待更新的數(shù)據(jù)從其存儲(chǔ)的扇區(qū)中讀出，并存儲(chǔ)至緩沖單元；

修改緩沖單元中的數(shù)據(jù)；

將修改后的數(shù)據(jù)寫入另一個(gè)存儲(chǔ)陣列的相應(yīng)扇區(qū)。

12.如權(quán)利要求11所述的閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，所述檢測(cè)待更新的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的扇區(qū)，以確定所述待更新的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)的存儲(chǔ)陣列包括：對(duì)待更新的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的第一存儲(chǔ)陣列和第二存儲(chǔ)陣列的扇區(qū)進(jìn)行讀取操作，當(dāng)檢測(cè)到存儲(chǔ)陣列中讀出的數(shù)據(jù)全部為“1”時(shí)，則判定該存儲(chǔ)陣列未存儲(chǔ)所述待更新的數(shù)據(jù)；反之，當(dāng)檢測(cè)到存儲(chǔ)陣列中讀出的數(shù)據(jù)包括“0”，則判定所述待更新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于該存儲(chǔ)陣列。