[發(fā)明專利]一種帶隙基準源無效

申請?zhí)枺?/td>	201110378704.9	申請日：	2011-11-24
公開（公告）號：	CN102419610A	公開（公告）日：	2012-04-18
發(fā)明（設計）人：	劉揚;應峰;何德軍;周之栩;牟陟	申請（專利權）人：	思瑞浦（蘇州）微電子有限公司
主分類號：	G05F1/56	分類號：	G05F1/56
代理公司：	南京蘇科專利代理有限責任公司 32102	代理人：	陳忠輝
地址：	215123 江蘇省蘇州市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種基準
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【權利要求書】：

1.?一種帶隙基準源，其特征在于包括：一個NMOS管M_CAS、一個低噪誤差放大器A0、一個基極與集電極連接成二極管形式的PNP管Q1和Q2，以及分壓電阻Rs和Rf，其中所述PNP管Q1和Q2的發(fā)射極分別連接分壓電阻Rf的第一分壓支路和分壓電阻Rs、Rf相串聯的第二分壓支路，所述低噪誤差放大器的正輸入端接入第一分壓支路，且其負輸入端接入第二分壓支路的兩分壓電阻之間，所述NMOS管M_CAS的柵極與低噪誤差放大器A0的輸出相連，且源極與第一、第二分壓支路匯聚相接為帶隙基準源的輸出V_bg。

2.如權利要求1所述的一種帶隙基準源，其特征在于：所述低噪誤差放大器的結構組成包括由NPN對管Q3和Q4組成的差分對、作為尾電流源的電阻R_tail以及由PMOS管M_P3、M_P4和電阻R_L構成的源極負反饋負載電路，其中NPN對管Q3、Q4的基極分別為放大器的正、負輸入端，且NPN對管Q4的集電極為低噪誤差放大器的輸出。

3.如權利要求1所述的一種帶隙基準源，其特征在于：所述PNP管Q1具有負溫度系數，PNP管Q2的面積是PNP管Q1的8倍，且所通過的電流相同。

4.如權利要求1所述的一種帶隙基準源，其特征在于：所述NMOS管M_CAS為零閾值器件。

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