[發明專利]化學氣相沉積反應器或外延層生長反應器及其支撐裝置

有效

• 申請號: 201110375777.2
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN103132051A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 尹志堯;姜勇
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/458
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種化學氣相沉積反應器或外延層生長反應器，其包括一反應腔，所述反應腔內設置至少一基片承載架和一用于支撐所述基片承載架的支撐裝置，所述基片承載架包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待處理的基片，其特征在于：

所述基片承載架的第二表面設置有至少一個向內凹陷的凹進部；

所述支撐裝置包括：主軸部；與所述主軸部的一端相連接、并沿所述主軸部外圍向外延伸開來的支撐部，所述支撐部包括一支撐面；以及與所述主軸部相連接、并沿著向所述基片承載架的第一表面方向延伸一高度的插接部；

所述支撐裝置的插接部可分離地插接于所述凹進部內，從而使所述基片承載架放置于所述支撐裝置上并由其支撐，在此位置下，所述支撐部的支撐面至少部分地與所述基片承載架的第二表面的至少部分相接觸，并且藉由該接觸的支撐面來支撐所述基片承載架。

2.如權利要求1所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的插接部與所述支撐部相連接、并沿所述支撐面向外突起一距離，直至達到能夠與所述凹進部相互插接的位置。

3.如權利要求1所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的插接部與所述主軸部的位于所述支撐面下方的某一位置處相連接，并沿著向所述基片承載架的第一表面方向延伸一高度，直至達到能夠與所述凹進部相互插接的位置。

4.如權利要求1或2或3所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的插接部包括一外周圍，所述基片承載架的凹進部包括一內周壁，當所述支撐裝置的插接部插接于所述凹進部內時，所述外周圍與所述內周壁之間至少部分地具有一間隙，并且所述插接部在所述凹進部內具有一位置，在此位置下，所述外周圍至少部分與所述內周壁的至少部分相互接觸或相互卡合或相互抵靠。

5.如權利要求1或2或3所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的插接部包括至少一第一插接部和一第二插接部，所述第一插接部和第二插接部相互間隔或彼此相鄰。

6.如權利要求5所述的反應器，其特征在于：所述凹進部包括至少一第一凹進部和一第二凹進部，當所述支撐裝置的插接部插接于所述凹進部內時，所述第一插接部插入于所述第一凹進部內，所述第二插接部插入于所述第二凹進部內。

7.如權利要求5所述的反應器，其特征在于：所述凹進部為一單一的凹進部，并且所述凹進部的尺寸或形狀設置為：當所述支撐裝置的插接部插接于所述凹進部內時，使所述至少第一插接部和第二插接部全部容納于所述凹進部內。

8.如權利要求1或2或3所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的插接部上設置有至少一個卡接鍵或定位銷，所述基片承載架的凹進部的側壁上設置有與所述卡接鍵或定位銷相匹配的卡接槽，在所述支撐裝置的插接部插接于所述凹進部內時，所述卡接鍵或定位銷與所述卡接槽至少部分地卡接或接觸或抵靠在一起，使二者保持一起運動。

9.如權利要求1或2或3所述的反應器，其特征在于：所述凹進部包括至少一第一凹進部和一第二凹進部，并且分布于所述基片承載架的第二表面上，所述至少第一凹進部和第二凹進部相互間隔一距離或彼此相鄰。

10.如權利要求1或2或3所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的支撐部上設置有若干鏤空結構。

11.如權利要求1或2或3所述的反應器，其特征在于：所述支撐裝置的主軸部與一旋轉機構相連接，所述主軸部由所述旋轉機構帶動旋轉，與所述主軸部相連接的所述插接部再帶動或推動或驅動所述基片承載架旋轉。

12.一種化學氣相沉積反應器或外延層生長反應器，其包括一反應腔，所述反應腔內設置至少一基片承載架和一用于支撐所述基片承載架的支撐裝置，所述基片承載架包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待處理的基片，其特征在于：

所述基片承載架的第二表面設置有至少一個向內凹陷的凹進部；

所述支撐裝置包括：主軸部，其包括一頂端，所述頂端包括一支撐面；以及與所述主軸部相連接、并沿著向所述基片承載架的第一表面方向延伸一高度的插接部；

所述插接部可分離地插接于所述凹進部內，從而使所述基片承載架放置于所述支撐裝置上并由其支撐，在此位置下，所述支撐面至少部分地與所述基片承載架的第二表面的至少部分相接觸，并且藉由該接觸的支撐面來支撐所述基片承載架。