[發明專利]一種用單質硫作為硫源制備硫化釤薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110375601.7
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102503557A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 黃劍鋒;侯艷超;劉佳;曹麗云;殷立雄
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: C04B41/52
• 分類號: C04B41/52;C01F17/00;B82Y40/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種用單質硫作為硫源制備硫化釤薄膜的方法，其特征在于：

1)取0.2-2.0g的氯化亞釤(SmCl₂)置于燒杯中，向燒杯中滴加5-80mL的油胺加熱攪拌使其均勻溶解得溶液A；

2)向溶液A中加入1.00-10.00g分析純的單質硫，加熱并攪拌均勻得溶液B；

3)用氨水調節溶液B的pH值至2.0-5.0得前驅液C；

4)將羥基化的硅基板置于體積濃度為1～1.5％的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡30～60min，取出后分別用丙酮、四氯化碳沖洗，然后用氮氣吹干，在氮氣氣氛中，于100～110℃干燥10～30min得OTS硅基板；

5)將干燥的OTS硅基板放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長184.9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為1～2cm，照射20～60min，使OTS頭基的烷基在紫外光的光激發下進行羥基化轉變，得到OTS功能化后的硅基板；

6)將功能化后的硅基板置于前驅液C中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在60～150℃下沉積1-50h制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中100～150℃干燥10～20min得硫化釤納米薄膜。

2.根據權利要求1所述的用單質硫作為硫源制備硫化釤薄膜的方法，其特征在于：所述的羥基化的硅基板是先將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波加熱震蕩30min～120min，在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N₂吹干，然后在紫外線照射儀中，照射20～60min。