[發(fā)明專(zhuān)利]一種非感光性聚酰亞胺鈍化層的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110374966.8
• 申請(qǐng)日: 2011-11-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103137469A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭曉波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/312
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/312
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種非感光性聚酰亞胺鈍化層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)提供一需制作非感光性聚酰亞胺鈍化層的基片；

(2)在基片上進(jìn)行非感光性聚酰亞胺的旋涂、烘烤；

(3)采用低溫氧化法生長(zhǎng)二氧化硅薄膜層；

(4)光刻膠的旋涂、烘烤；

(5)曝光及顯影獲得光刻膠圖形；

(6)以光刻膠圖形為刻蝕掩膜層，刻蝕二氧化硅薄膜層形成圖形；

(7)剝離去除光刻膠；

(8)以圖形化的二氧化硅薄膜層為刻蝕掩膜層，干法刻蝕非感光性聚酰亞胺以形成鈍化層圖形；

(9)用干法回刻的方法去除二氧化硅薄膜層；

(10)固化后獲得非感光性聚酰亞胺鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述基片上的頂層金屬連線已經(jīng)形成，或者所述基片上的頂層金屬連線以及介質(zhì)層鈍化膜的圖形已經(jīng)形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述的非感光性聚酰亞胺是指其對(duì)波長(zhǎng)436納米的G-line，波長(zhǎng)365納米的I-line，波長(zhǎng)248納米的KrF和波長(zhǎng)193納米的ArF中的任意一種或多種光不具有光敏性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述的非感光性聚酰亞胺旋涂、烘烤后的薄膜厚度為1-50微米，其烘烤溫度為50-200℃，烘烤時(shí)間為30秒-5小時(shí)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述烘烤溫度為130℃，烘烤時(shí)間為5分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述的低溫氧化法包括等離子體化學(xué)氣相淀積或光能化學(xué)氣相淀積方法，其反應(yīng)溫度低于400℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述的低溫氧化法是指一種高密度的等離子體化學(xué)氣相淀積，反應(yīng)氣體包括硅烷，氧氣和氬氣，反應(yīng)溫度為80-150℃，氣體壓力為0.5-20毫托，射頻功率為500-2000瓦。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或6或7所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述的二氧化硅薄膜層的厚度為50-5000埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的光刻膠旋涂、烘烤后的厚度為0.5-10微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中，所述的曝光光源是波長(zhǎng)436內(nèi)米的G-line，波長(zhǎng)365內(nèi)米的I-line，波長(zhǎng)248內(nèi)米的KrF和波長(zhǎng)193內(nèi)米的ArF中的任意一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中，所述的曝光光源是波長(zhǎng)365內(nèi)米的I-line。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(8)中，所述的干法刻蝕是以氧氣為主要刻蝕氣體的等離子體干法刻蝕，其氧氣流量為50～2000標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的立方厘米/分鐘，源射頻功率為100～1500瓦，氣體壓力為20～2000毫托。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(10)中，所述的固化溫度為200-500℃，固化時(shí)間為30-120分鐘。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在步驟(10)中，所述的固化溫度為400℃，固化時(shí)間為60分鐘。