[發明專利]電壓調整器和電子裝置

有效

• 申請號: 201110369595.4
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN103123513A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 博通集成電路（上海）有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種電壓調整器，其特征在于，包括：

一輸出電路，該輸出電路的輸入端接收一反饋電壓，所述輸出電路的輸出端用于提供一輸出電流，該輸出電流的大小基于所述反饋電壓的大小；所述輸出電路的輸出端還輸出電壓調整器的輸出電壓，所述輸出電壓的大小至少部分是基于所述輸出電流的大小；

一第一MOS晶體管，和所述輸出電路相連接并用于接收所述輸出電壓；

一第二MOS晶體管，和所述第一MOS晶體管相連接，所述第二MOS晶體管用于提供一反饋電壓，所述反饋電壓的大小至少部分是基于所述輸出電壓的大小；

一電流沉，和所述第一MOS晶體管以及所述第二MOS晶體管相連接，所述電流沉用于接收所述第一MOS晶體管的電流和所述第二MOS晶體管的電流的合電流；

一電流源，和所述第二MOS晶體管相連接，所述電流源用于提供電流給所述第二晶體管；所述電流源和所述第二MOS晶體管的連接端還連接到所述輸出電路，所述電流源和所述第二MOS晶體管的連接端為所述輸出電路提供所述反饋電壓，所述反饋電壓的大小至少部分是基于所述第二MOS晶體管的電流大小。

2.如權利要求1所述的電壓調整器，其特征在于：所述輸出電路由一個第三MOS晶體管組成，所述第三MOS晶體管為一個PMOS晶體管，所述第三MOS晶體管的第一輸入端為源極，所述第三MOS晶體管的第二輸入端為柵極，所述第三MOS晶體管的輸出端為漏極；所述第三MOS晶體管的第一輸入端接收第一電壓，所述第三MOS晶體管的第二輸入端接收所述反饋電壓，所述第三MOS晶體管的輸出端連接到所述第一MOS晶體管并用于提供所述輸出電流，所輸出電流的大小至少部分是基于所述第一電壓和所述反饋電壓的大小；

所述第一MOS晶體管為一個PMOS晶體管，所述第一MOS晶體管的第一輸入端為源極，所述第一MOS晶體管的第二輸入端為柵極，所述第一MOS晶體管的輸出端為漏極；所述第一MOS晶體管的第一輸入端接收所述輸出電壓，所述第一MOS晶體管的第二輸入端接收一第一控制電壓，所述第一MOS晶體管的輸出端連接到所述第二MOS晶體管和所述電流沉；

所述第二MOS晶體管為一個NMOS晶體管，所述第二MOS晶體管的第一輸入端為源極，所述第二MOS晶體管的第二輸入端為柵極，所述第二MOS晶體管的輸出端為漏極；所述第二MOS晶體管的第一輸入端連接到所述第一MOS晶體管的輸出端和所述電流沉；所述第二MOS晶體管的第二輸入端接收一第二控制電壓；所述第二MOS晶體管的輸出端連接到所述電流源和所述輸出電路，所述第二MOS晶體管的輸出端提供所述反饋電壓，所述反饋電壓的大小至少部分是基于所述第二MOS晶體管的電流的大小。

3.如權利要求1所述的電壓調整器，其特征在于：所述電壓調整器還包括一參考電壓產生電路，該參考電壓產生電路分別和所述第一MOS晶體管以及所述第二MOS晶體管連接，所述參考電壓產生電路為所述第一MOS晶體管提供所述第一控制電壓，所述參考電壓產生電路為所述第二MOS晶體管提供所述第二控制電壓；所述第一控制電壓等于所述第二控制電壓；

所述參考電壓產生電路包括：

一第四MOS晶體管，所述第四MOS晶體管的第一端接收一偏置電流，所述第四MOS晶體管的第二端和第三端連接在一起；

一第五MOS晶體管，所述第五MOS晶體管的第一端接地，所述第五MOS晶體管的第二端和第三端連接在一起；

一第六MOS晶體管，所述第六MOS晶體管的第二端和第三端連接在一起并都連接到所述第四MOS晶體管的第二端和第三端上，所述第六MOS晶體管的第一端連接到所述第五MOS晶體管的第二端和第三端上。

4.如權利要求3所述的電壓調整器，其特征在于：所述偏置電流的大小等于所述電流源提供給所述第二MOS晶體管的電流的大小，所述電流沉接收電流的大小大于所述偏置電流大小。