[發(fā)明專利]激光二極管無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110369269.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102403650A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 橫山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫;宮嶋孝夫;渡邊秀輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼株式會(huì)社;國(guó)立大學(xué)法人東北大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01S5/062 | 分類號(hào): | H01S5/062 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光二極管 | ||
1.一種具有層疊結(jié)構(gòu)體的激光二極管,其包括:
第一化合物半導(dǎo)體層;具有量子阱結(jié)構(gòu)的活性層;以及第二化合物半層體層;
與所述第一化合物半導(dǎo)體層電連接的第一電極;以及
與所述第二化合物半導(dǎo)體層電連接的第二電極,其中,
所述層疊結(jié)構(gòu)體由AlGaInN基化合物半導(dǎo)體制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管,其中,所述激光二極管能夠通過具有10納秒以下脈沖電流寬度的脈沖電流信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管,其中,所述激光二極管能夠通過具有0.4安以上脈沖電流的脈沖電流信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管,其中,所述激光二極管是具有脊條型分離封閉異質(zhì)結(jié)構(gòu)的激光二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管,其中,
所述第二電極被布置在所述第二化合物半導(dǎo)體層上,并且
從所述活性層至所述第二電極的距離為1μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管,其中,
所述第二化合物半導(dǎo)體層摻雜有1×1019cm-3以上的Mg,并且
所述第二化合物半導(dǎo)體層對(duì)405nm波長(zhǎng)的光的吸收系數(shù)至少是50cm-1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光二極管,其中,
所述第二化合物半導(dǎo)體層從所述活性層一側(cè)依次包括未摻雜的化合物半導(dǎo)體層和p型化合物半導(dǎo)體層,并且
從所述活性層至所述p型化合物半導(dǎo)體層的距離是1.2×10-7m以下。
8.一種具有層疊結(jié)構(gòu)體的激光二極管,其包括:
第一化合物半導(dǎo)體層;具有量子阱結(jié)構(gòu)的活性層;以及第二化合物半層體層;
與所述第一化合物半導(dǎo)體層電連接的第一電極;以及
與所述第二化合物半導(dǎo)體層電連接的第二電極,其中,
所述層疊結(jié)構(gòu)體由AlGaInN基化合物半導(dǎo)體制成,并且所述激光二極管能夠通過比所述激光二極管的閾值電壓值高2倍以上的脈沖電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光二極管,其中,所述激光二極管能夠通過具有10納秒以下寬度的脈沖電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光二極管,其中,所述激光二極管能夠通過具有8伏以上脈沖電壓的脈沖電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光二極管,其中,所述激光二極管是具有脊條型分離封閉異質(zhì)結(jié)構(gòu)的激光二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光二極管,其中,
所述第二電極被布置在所述第二化合物半導(dǎo)體層上,并且
從所述活性層至所述第二電極的距離為1μm以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光二極管,其中,
所述第二化合物半導(dǎo)體層摻雜有1×1019cm-3以上的Mg,并且
所述第二化合物半導(dǎo)體層對(duì)405nm波長(zhǎng)的光的吸收系數(shù)至少是50cm-1。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光二極管,其中,
所述第二化合物半導(dǎo)體層從所述活性層一側(cè)依次包括未摻雜的化合物半導(dǎo)體層和p型化合物半導(dǎo)體層,并且
從所述活性層至所述p型化合物半導(dǎo)體層的距離是1.2×10-7m以下。
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