[發明專利]一種多晶氮化鋅薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 201110369249.6 | 申請日： | 2011-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN102392215A | 公開（公告）日： | 2012-03-28 |
| 發明（設計）人： | 閆金良;趙銀女 | 申請（專利權）人： | 魯東大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 264025 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 氮化 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶氮化鋅薄膜的制備方法，步驟如下：
(1)將高純度的金屬Zn靶安裝在射頻磁控濺射裝置的濺射室的水冷的陰極靶槽中，將清洗過的石英襯底放入襯底架，把襯底架插入濺射室的襯底轉盤中，調整Zn靶與襯底之間的距離為50-80mm；
(2)對濺射室進行抽氣，使濺射室的基礎真空小于1.0×10-3Pa，襯底溫度室溫；
(3)向濺射室內充入濺射氣體Ar和反應氣體NH3，Ar氣的流量和NH3氣的流量分別用質量流量計獨立控制，NH3氣的流量范圍在1-5sccm，Ar氣的流量范圍在15-19sccm，Ar氣和NH3氣的流量總和20sccm；
(4)調節控制閥減少抽氣量，使濺射室的Ar-NH3混合氣體的氣體壓強為0.5-2.5Pa，射頻濺射功率30-200W，最后射頻磁控濺射，制得多晶Zn3N2薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種多晶氮化鋅薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(1)中金屬Zn靶的純度大于99.99wt.％。
3.根據權利要求1所述的一種多晶氮化鋅薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(1)中金屬Zn靶的形狀為圓形，直徑為60mm。
4.根據權利要求1所述的一種多晶氮化鋅薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(3)中濺射氣體Ar氣的純度為99.99％，反應氣體NH3氣的純度為99.9％。
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