[發明專利]薄膜太陽電池高導電性前電極的制備方法

有效

• 申請號: 201110366694.7
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102394258A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 何欣炎;王國增;李鵬;林宏達;王恩忠
• 申請（專利權）人: 牡丹江旭陽太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利事務所 23205
• 代理人: 張雨紅

1.薄膜太陽電池高導電性前電極的制備方法，其特征在于：在TCO玻璃基板上的TCO膜層上沉積超薄金屬膜層，超薄金屬膜層與TCO膜層構成高導電性復合前電極，達到與太陽電池結構層良好歐姆接觸，導電性能好的目的，具體步驟為：

在超白玻璃基板上沉積AZO膜層，然后用0.5%的稀鹽酸進行刻蝕，制得具有AZO膜層的導電玻璃，或采用具有導電TCO膜層的氧化錫摻氟（FTO）玻璃；

二、在導電玻璃上的TCO膜層上采用物理氣相沉積法沉積超薄金屬膜層，與TCO膜層構成高導電性復合前電極，沉積過程中功率密度范圍1～100W/cm²，壓強為1～3Pa，沉積時間為1～10s，物理氣相沉積法的靶基距為5～20cm。

2.如權利要求1所述的薄膜太陽電池高導電性前電極的制備方法，其特征在于超薄金屬層的厚度范圍為0.1nm～10nm。

3.如權利要求1所述的薄膜太陽電池高導電性前電極的制備方法，其特征在于高導電性復合前電極方塊電阻小于10Ω/□，復合前電極在300～1100nm波長范圍內透光率>80%。