[發明專利]高純半導體材料的水平真空區熔制備方法有效
| 申請號： | 201110362040.7 | 申請日： | 2011-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN102392294A | 公開（公告）日： | 2012-03-28 |
| 發明（設計）人： | 張可鋒;林杏潮;張莉萍;邵秀華;王仍;焦翠靈;陸液;杜云辰;宋坤駿;李向陽 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高純 半導體材料 水平 真空 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高純半導體材料的水平真空區熔制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將普通純度原材料在保護性氣氛下裝入載料舟(1)；
2)將帶有通氣孔(4)和回流接收槽(3)的載料舟蓋(2)扣合在載料舟上；
3)將裝有原材料的載料舟，緩慢推入水平區熔爐石英腔體(5)中；
4)啟動真空泵(8)，對水平區熔爐石英腔體抽真空；
5)當石英腔體的真空度低于1Pa時，切斷真空泵與石英腔體的連接；打開高純氮氣與石英腔體的閥門，對石英腔體充氣，待石英腔體的壓強達到1atm時，切斷高純氮氣與石英腔體間的閥門；打開真空泵與石英腔體的閥門，對石英腔體再次抽真空；
6)重復操作工藝步驟5)三到六次，將石英腔體中的氧氣全部排出；最后使石英腔體的真空度低于1Pa；
7)啟動水平區熔爐的加熱爐體(6)，溫度設定為稍大于原材料的熔點，溫度由熱電偶(7)監控，使原材料的熔化區域穩定在1.5cm～2.0cm；
8)緩慢移動加熱爐體，使熔區從材料的一端移動到另一端，實現材料的區熔分凝提純。
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