[發明專利]一種薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 201110356721.2 | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN102368513A | 公開(公告)日: | 2012-03-07 |
| 發明(設計)人: | 賈海軍;馮燕;張麗;王輝;麥耀華 | 申請(專利權)人: | 保定天威集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20 |
| 代理公司: | 唐山順誠專利事務所 13106 | 代理人: | 于文順 |
| 地址: | 071051 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 電池 結構 透明 導電 氧化物 制備 方法 | ||
1.一種薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于包含如下工藝步驟:①利用等離子體刻蝕的方式對玻璃基片進行前處理轟擊,在玻璃表面形成絨面,通過改變等離子體的氣體電離電壓、離子聚焦電壓、等離子體束流以及等離子體轟擊真空度,在玻璃襯底上刻蝕出絨面織構;②在絨面玻璃表面采用鍍膜技術制備TCO透明導電薄膜,通過改變TCO沉積參數來獲得不同結構及電學性能的TCO薄膜,此時TCO薄膜具有與玻璃襯底相似的絨面織構;③對玻璃表面的TCO薄膜進行濕法刻蝕,通過改變刻蝕溶液的種類、濃度、溫度、刻蝕時間、TCO玻璃在溶液中運動的速率,獲得相對應的絨面織構,該TCO薄膜表面刻蝕產生的絨面織構與玻璃襯底的絨面織構的特征尺寸范圍不同時,使整個TCO薄膜具有雙結構的絨面織構。
2.?根據權利要求1所述之薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于所說的刻蝕溶液是酸、堿、醇。
3.根據權利要求1或2所述之薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于薄膜太陽能電池為硅基系列薄膜電池、碲化鎘系列薄膜電池、銅銦鎵硒系列薄膜電池或有機化合物材料薄膜電池。
4.根據權利要求1或2所述之薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于雙結構絨面透明導電氧化物薄膜為氧化鋅(ZnO)薄膜、硼(B)摻雜ZnO薄膜、鋁(Al)摻雜ZnO薄膜、鎵(Ga)摻雜ZnO薄膜、其他金屬元素摻雜ZnO薄膜,也可以是金屬元素摻雜的氧化錫薄膜等。
5.根據權利要求1或2所述之薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于通過等離子體刻蝕的方式獲得起伏絨面的玻璃襯底。
6.根據權利要求1或2所述之薄膜電池雙結構絨面透明導電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于所采用的鍍膜技術為低壓化學氣相沉積(LPCVD)技術、磁控濺射技術、脈沖激光沉積技術、旋涂技術等其他技術,所沉積的TCO薄膜具有與玻璃襯底相似的絨面織構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





