[發明專利]一種太陽能電池制作方法

無效

• 申請號: 201110356522.1
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102361050A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 王志超
• 申請（專利權）人: 浚鑫科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及半導體制作技術領域，更具體的說是涉及一種太陽能電池制 作方法。

背景技術

太陽能電池是是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的 裝置，其通常以硅片為載體，制作材料主要以半導體材料為基礎。

太陽能電池制作工藝通常包括制作PN結、正電極、背電極以及背電場等 操作，PN結是指通過摻雜工藝，將P(Positive，帶正電的)型半導體和N (Negative，帶負電的)型半導體制作在同一半導體基片上時，在交界面所形 成的空間電荷區，太陽光照在PN結上時，即形成空穴-電子對，電子由P型區 流向N型區，即形成電流。背電場是指通過在太陽能電池中增加一濃摻雜層， 形成的內建電場，通過背電場可以提高太陽能電池的轉換效率。

現有的一種太陽能電池制作方法中，以選擇P型半導體作為硅片襯底為 例，首先通過磷擴散使P型半導體一面變成N型，形成PN結；然后經過刻蝕、 鍍膜等操作后，先在硅片襯底背面，也即P型層一面，絲網印刷背電極，然后 在絲網印刷背電場，之后硅片襯底正面再絲網印刷正電極；最后經過高溫燒 結即形成背電場、背電極以及正電極。現有方法中，背電場是通過鋁漿印刷 燒結形成的，工藝雖然簡單，但是采用鋁漿印刷的方式，由于鋁漿的存在， 增加了串聯電阻，且容易導致漏電流增加，使得并聯電阻減少，因此會降低 太陽能電池的效率，降低了電池的性能。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種太陽能電池制作方法，用以解決現有技術中 采用鋁漿印刷背電場，導致太陽能電池效率較低的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種太陽能電池制作方法，包括：

將制絨后的硅片襯底的第一表面進行硼擴散，與所第一表面對應的第二 表面進行磷擴散；

在所述硅片襯底進行硼擴散的一面制作第一電極，以及在所述硅片襯底 進行磷擴散的一面制作第二電極。

優選地，所述硅片襯底具體為P型硅片，則所述將制絨后的硅片襯底的 第一表面進行硼擴散，與所第一表面對應的第二表面進行磷擴散包括：

將制絨后的P型硅片的第一表面拋光，并進行硼擴散，形成背電場；

將形成背電場的P型硅片的第二表面拋光，進行磷擴散，形成PN結；

則所述第一電極具體為太陽能電池負電極，所述第二電極具體為太陽能 電池正電極。

優選地，所述將制絨后的P型硅片第一表面拋光，進行硼擴散具體為：

將制絨后的P型硅片第一表面拋光，并進行烘片；

在所述P型硅片拋光面上涂覆硼擴乳膠源，并進行烘焙；

按照預設的擴散參數值，進行擴散，形成背電場，所述擴散參數包括溫 度、時間以及通氧量。

優選地，所述擴散溫度為1100攝氏度，擴散時間為2小時，通氧量為3 升每分鐘。

優選地，所述烘焙溫度為80攝氏度～85攝氏度，烘焙時間為25秒。

優選地，所述在所述硅片襯底進行硼擴散的一面制作第一電極，以及在 所述硅片襯底進行磷擴散的一面制作第二電極之前還包括：

將擴散后的硅片進行邊緣刻蝕，并將硅片沉積減反射膜。

優選地，所述在所述硅片襯底進行硼擴散的一面制作第一電極，以及在 所述硅片襯底進行磷擴散的一面制作第二電極包括：

在所述硅片襯底進行硼擴散的一面絲網印刷第一電極，以及在所述硅片 襯底進行磷擴散的一面絲網印刷第二電極；

將絲網印刷第一電極以及第二電極后的硅片襯底進行燒結。

優選地，所述硅片襯底具體為P型硅片，則所述將制絨后的硅片襯底第 一表面進行硼擴散，與所第一表面對應的第二表面進行磷擴散包括：

將制絨后的P型硅片第二表面拋光，并進行磷擴散，形成PN結；

將形成PN結的P型硅片上的第一表面拋光，進行硼擴散，形成背電場；

則所述第一電極具體為太陽能電池負電極，所述第二電極具體為太陽能 電池正電極。

優選地，所述硅片襯底具體為N型硅片，則所述將制絨后的硅片襯底第 一表面進行硼擴散，與所第一表面對應的第二表面進行磷擴散包括：

將制絨后的N型硅片第二表面拋光，進行磷擴散，形成背電場；

將形成背電場的N型硅片的第一表面拋光，進行硼擴散，形成PN結；