[發明專利]在高壓晶體管結構的端處的柵極回拉

有效

• 申請號: 201110356266.6
• 申請日: 2008-02-18
• 公開（公告）號: CN102412267A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: V·帕塔薩拉蒂;M·H·曼利
• 申請（專利權）人: 電力集成公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 李曉冬

1.一種晶體管，包括：

設置成跑道形布局的半導體材料柱，所述半導體材料柱具有沿第一橫向延伸的基本線性的部分和在跑道形布局的基本線性的部分的每一端處的圓形部分；

分別設置在柱的相對側的第一和第二介電區域，第一介電區域被柱橫向包圍，并且第二介電區域橫向包圍所述柱；

分別設置在第一和第二介電區域中的第一和第二場板；以及

分別設置在柱的頂部處或附近的第一和第二介電區域中的第一和第二柵極元件，所述第一和第二柵極元件通過柵極氧化物與本體區分開，所述柵極氧化物在跑道形布局的基本線性的部分中具有第一厚度，所述柵極氧化物在圓形部分處具有第二厚度，第二厚度足夠厚而使得圓形部分處的柵極氧化物弱點被消除同時所述柵極元件與相應場板之間的適當距離被保持。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中第一厚度大約是

3.根據權利要求1所述的晶體管，其中第二厚度大約是1μm。

4.根據權利要求1所述的晶體管，進一步包括：

源極區，所述本體區被設置在所述源極區下面的柱中；以及

設置在本體區下面的柱中的延伸漏極區。

5.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述基本線性的部分沿第一橫向的長度比跑道形布局的寬度大至少30倍，所述寬度在垂直于第一橫向的第二橫向上。

6.根據權利要求1所述的晶體管，進一步包括：

第一導電類型的源極區，被設置在所述柱的頂表面處或附近；和

第二導電類型的所述本體區，被設置在所述源極區下面的柱中，

其中，所述第一和第二柵極元件分別被設置在鄰近所述本體區的柱的頂表面處或附近的所述第一和第二介電區域中。

7.根據權利要求6所述的晶體管，其中第一厚度大約是

8.根據權利要求6所述的晶體管，其中第二厚度大約是1μm。

9.根據權利要求6所述的晶體管，進一步包括設置在本體區下面的柱中的延伸漏極區。

10.根據權利要求6-9中任一項所述的晶體管，其中所述基本線性的部分沿第一橫向的長度比跑道形布局的寬度大至少30倍，所述寬度在垂直于第一橫向的第二橫向上。

11.根據權利要求6-9中任一項所述的晶體管，其中第一和第二柵極元件與第一和第二場板完全絕緣。

12.根據權利要求1-9中任一項所述的晶體管，其中第二厚度大于第一厚度。