[發明專利]一種去除碲鎘汞界面層的霍爾樣品制備方法有效
| 申請號： | 201110355312.0 | 申請日： | 2011-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN102508079A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 仇光寅;魏彥鋒;陳倩男;孫權志;孫瑞赟 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G01R31/00 | 分類號： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 碲鎘汞 界面 霍爾 樣品 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除碲鎘汞界面層的霍爾樣品制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)采用常規清洗碲鎘汞外延層的方法清洗抗腐蝕基底(4)和碲鎘汞外延層材料，保持材料及抗腐蝕基底表面的清潔；
2)使用抗腐蝕黏膠(3)將清洗干凈的碲鎘汞外延材料(2)與抗腐蝕基底(4)粘緊，并放于烘箱中烘干，使碲鎘汞外延材料與抗腐蝕基底緊密接觸；
3)使用選擇性腐蝕劑去除碲鋅鎘襯底(1)，選擇性腐蝕劑選用鹽酸、硝酸和重鉻酸鉀，其摩爾配比為：鹽酸∶硝酸∶重鉻酸鉀＝30-80∶20-60∶1-5；
4)采用溴甲醇溶液腐蝕去除碲鋅鎘襯底(1)的外延層材料，消除可能存在的界面層，溴甲醇溶液選用1‰～5％的溴甲醇稀釋溶液；
5)在去除界面層的碲鎘汞外延材料(2)的四角上焊上后續進行霍爾測試所需的In電極(2-1)。
2.根據權利要求1所述的一種去除碲鎘汞界面層的霍爾樣品制備方法，其特征在于：步驟1)中所述的抗腐蝕基底選用1～3mm厚的寶石片。
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