[發明專利]一種金屬基石墨烯復合電接觸材料及其制備方法

無效

• 申請號: 201110354593.8
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102385938A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 王寧;陳海軍;何泓材;竇延軍
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01B1/02
• 分類號: H01B1/02;H01B13/00;C22C1/10;C23C18/16
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種金屬基石墨烯復合電接觸材料，包含0.02-10wt％的石墨烯，其余為金屬基體材料；所述石墨烯均勻分散在所述金屬基體材料中。

2.根據權利要求1所述的金屬基石墨烯復合電接觸材料，其特征在于，所述石墨烯厚度為0.3-5nm、直徑為10nm-10μm。

3.根據權利要求1所述的金屬基石墨烯復合電接觸材料，其特征在于，所述金屬基體材料為Au、Ag、Cu或Au、Ag、Cu三者之間的二元或三元合金。

4.根據權利要求1所述的金屬基石墨烯復合電接觸材料，其特征在于，所述金屬基體材料為Au、Ag、Cu與Sn、Ni、Pt或P之間的多元合金，或Au、Ag、Cu三者之間的二元或三元合金與Sn、Ni、Pt或P之間的多元合金。

5.一種金屬基石墨烯復合電接觸材料的制備方法，首先在基體金屬的鹽溶液中加入厚度為0.3-5nm、直徑為10nm-10μm的石墨烯，采用水合肼還原法在石墨烯表面沉積少量的基體金屬；然后將表面沉積了基體金屬的石墨烯分離、烘干后與基體金屬粉末混合均勻，控制混合物中石墨烯的含量為0.02-10wt％；最后采用真空熔煉法對所述混合物進行真空熔煉，得到金屬基石墨烯復合電接觸材料。

6.根據權利要求5所述的金屬基石墨烯復合電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述石墨烯厚度為0.3-5nm、直徑為10nm-10μm。

7.根據權利要求5所述的金屬基石墨烯復合電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述基體金屬材料為Au、Ag、Cu或Au、Ag、Cu三者之間的二元或三元合金。

8.根據權利要求5所述的金屬基石墨烯復合電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述金屬基體材料為Au、Ag、Cu與Sn、Ni、Pt或P之間的多元合金，或Au、Ag、Cu三者之間的二元或三元合金與Sn、Ni、Pt或P之間的多元合金。