[發(fā)明專利]WS2軟涂層納織構(gòu)自潤(rùn)滑刀具及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110353909.1 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102500778A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄧建新;連云崧;顏培;邢佑強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B23B27/00 | 分類號(hào)： | B23B27/00;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/32;B32B15/04;B32B33/00 |
| 代理公司： | 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人： | 李健康 |
| 地址： | 250061 山東*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ws sub 涂層 納織構(gòu) 潤(rùn)滑 刀具 及其 制備 方法 | ||
1.WS2軟涂層納織構(gòu)自潤(rùn)滑刀具，基體材料為高速鋼或硬質(zhì)合金，其特征是刀具前刀面刀—屑接觸區(qū)帶有納織構(gòu)，納織構(gòu)表面沉積有WS2軟涂層，WS2軟涂層與納織構(gòu)表面之間含有一層Zr過渡層。
2.WS2軟涂層納織構(gòu)自潤(rùn)滑刀具制備方法，其特征在于采用飛秒激光加工技術(shù)在刀具前刀面刀—屑接觸區(qū)域加工出納米級(jí)織構(gòu)；然后用中頻磁控濺射沉積+多弧離子鍍法在納織構(gòu)刀具表面沉積一層Zr過渡層和WS2軟涂層，其制備方法為：
(一)在刀具表面加工納米級(jí)織構(gòu)
先將刀具基體材料拋光至鏡面，去除表面污染層，依次放入酒精、丙酮中超聲清洗各15min，然后采用飛秒激光加工技術(shù)在刀具前刀面刀—屑接觸區(qū)域加工出外觀為月牙洼形狀，內(nèi)部為條狀溝槽的納米級(jí)織構(gòu)，槽寬為10～50nm，深度為5～20nm，槽間距為50～100nm；
(二)在納織構(gòu)刀具表面沉積軟涂層
(1)前處理：將納織構(gòu)的刀具依次放入酒精、丙酮中超聲清洗各15-20min，干燥充分后迅速放入真空室，真空室本底真空1.0×10-2Pa，加熱至150-200℃，開啟旋轉(zhuǎn)工件臺(tái)，保溫20-30min；
(2)離子清洗：通Ar氣，其壓力為1.5Pa，開啟偏壓電源，電壓800V，占空比0.2，輝光放電清洗20min；偏壓降低至200V，開啟電弧源Zr靶，靶電流60A，濺射清洗2-4min；
(3)沉積Zr：調(diào)整Ar氣壓為0.5Pa，偏壓降低至150V，Zr靶電流調(diào)為70A，多弧離子鍍Zr?2-3min；
(4)沉積WS2：停電弧源Zr靶，停止工件臺(tái)的轉(zhuǎn)動(dòng)，并使刀具停留在WS2靶的正前方，把偏壓降至100V，開啟離子源，再開中頻磁控WS2靶，把WS2靶電流調(diào)為0.5A，然后每隔2min升高0.1AWS2靶電流，直至WS2靶電流升為1A；從濺射沉積WS2開始每隔30min，調(diào)整一次偏壓，先降低后升高，依次為100V，75V，50V，75V，100V；中頻磁控濺射沉積WS2?120-150min；
(5)后處理：關(guān)閉WS2靶，關(guān)閉偏壓電源、離子源及氣體源，保溫30-40min，然后涂層結(jié)束。
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