[發明專利]復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法

無效

• 申請號: 201110351039.4
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN103094411A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 朱兆杰
• 申請（專利權）人: 智盛全球股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮

1.一種復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一第一基材層，該第一基材層的純度介于2N至3N之間；以及

成型一第二基材層于該第一基材層上，該第二基材層的純度介于6N至9N之間。

2.如權利要求1所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在提供一第一基材層的步驟中，該第一基材層的厚度介于160至180微米之間。

3.如權利要求2所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在成型一第二基材層的步驟中，該第二基材層的厚度介于5至20微米之間。

4.如權利要求1所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在提供一第二基材層的步驟中，該第二基材層以物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、液相外延(Liquid-phase?epitaxy，LPE)、濺射方式成形于該第一基材層上。

5.如權利要求1所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在提供一第二基材層的步驟中，以化學氣相沉積方法利用二氯硅烷、二硼烷與氫氣為主氣流，將所述的主氣流通過該第一基材層，并在1000至1100℃的溫度范圍下進行化學氣相沉積20至30分鐘，以成型P型摻雜硅的該第二基材層。

6.如權利要求5所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在前述的化學氣相沉積方法中，二氯硅烷的流量為200至300sccm，二硼烷的流量為5至10sccm，氫氣的流量為80至100sccm。

7.如權利要求1所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在提供一第二基材層的步驟中，以濺射方法成型該第二基材層。

8.如權利要求7所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，該濺射方法以脈沖直流磁控濺射設備在背景壓力為5×10^-7Torr至9×10^-7Torr、濺射功率在100W至300W、載臺溫度在200至250℃、沉積壓力為5mTorr、通入氣體流量8至10sccm的氬氣的條件下成型該第二基材層。

9.如權利要求1所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，在成型一第二基材層于該第一基材層上的步驟后還包括一多晶化步驟。

10.如權利要求9所述的復合式太陽能電池的多晶硅基板的制作方法，其特征在于，該多晶化步驟以激光結晶方法將非晶的該第二基材層形成多晶材料。