[發(fā)明專利]一種釔摻雜納米氮化鋁粉體的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110349484.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102502539A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王煥平;楊清華;徐時(shí)清;鄧德剛;趙士龍;華有杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)計(jì)量學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | C01B21/072 | 分類號(hào): | C01B21/072;C04B35/582;C04B35/626;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 韓介梅 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 納米 氮化 鋁粉體 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種添加釔元素作為助劑制備納米氮化鋁粉體的方法,屬于材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
氮化鋁陶瓷(AlN)具有高的熱導(dǎo)率、與硅相匹配的線膨脹系數(shù)、低的介電常數(shù)、優(yōu)良的電絕緣性能、耐腐蝕以及環(huán)保無(wú)毒等特點(diǎn),已經(jīng)替代氧化鋁與氧化鈹成為目前超大規(guī)模集成電路基板的首選材料,在現(xiàn)代電子與微電子等高新技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但由于氮化鋁屬于共價(jià)化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小,導(dǎo)致難以燒結(jié)致密,即便在1900?℃以上的高溫下燒結(jié)也達(dá)不到理論密度的90%,同時(shí)獲得的氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率也遠(yuǎn)低于理論值。為在相對(duì)較低的溫度下實(shí)現(xiàn)陶瓷材料的致密燒結(jié),從而提高其熱導(dǎo)率,目前國(guó)內(nèi)外科研工作者主要通過(guò)以下兩個(gè)途徑來(lái)實(shí)現(xiàn):一個(gè)是選擇合適的燒結(jié)助劑,利用燒結(jié)助劑在燒結(jié)過(guò)程中的熔化,或者燒結(jié)助劑與陶瓷基體在低溫下反應(yīng)生成低共熔物,再以液相燒結(jié)的形式促進(jìn)陶瓷的致密化;另一種是通過(guò)合成納米陶瓷粉體,利用納米粉體的高比表面能來(lái)促進(jìn)陶瓷的致密化進(jìn)程。
在氮化鋁陶瓷燒結(jié)助劑選擇上,稀土金屬和堿土金屬的氧化物及氟化物是常用的燒結(jié)助劑。如Terao等《J.?Eur.?Ceram.?Soc.,?2002,?22:?1051-1053》以La2O3作為燒結(jié)助劑,在1850?℃保溫2?h常壓燒結(jié)得到密度為3.27?g/cm-3的氮化鋁陶瓷,其熱導(dǎo)率為101?W/(m·K);Eirik等《J.?Am.?Ceram.?Soc.,?2002,?85(12):?2971-2976》利用CaO與Al2O3的產(chǎn)物Ca12Al14O33作為燒結(jié)助劑,可以將氮化鋁陶瓷的致密化溫度降低至1650-1750?℃;喬梁等《材料工程,?2003,?1:?10-13》以CaF2-YF3作為燒結(jié)助劑,在1750?℃保溫4?h得到致密結(jié)構(gòu)的氮化鋁陶瓷,其熱導(dǎo)率為172?W/(m·K)。相對(duì)于其它燒結(jié)助劑,Y2O3由于具有驅(qū)氧能力強(qiáng)、穩(wěn)定性好以及所得產(chǎn)品性能好等優(yōu)點(diǎn),成為氮化鋁陶瓷最常用的也是最有效的燒結(jié)助劑之一。如Hiroya等《Powder?Techn.,?2005,?159:?155-157》以Y2O3作為燒結(jié)助劑,在1800?℃保溫3?h,氮化鋁陶瓷即獲得理論燒結(jié)密度,熱導(dǎo)率為169?W/(m·K);Hirano等《J.?Mater.?Sci.,?1993,?28(17):?4725-4730》在沒(méi)有添加任何燒結(jié)助劑時(shí)對(duì)AlN粉體在1900?℃保溫8?h,燒結(jié)得到AlN陶瓷的熱導(dǎo)率僅為114?W/(m·K),而采用4%的Y2O3作為燒結(jié)助劑,在相同燒結(jié)條件下制備出AlN陶瓷的熱導(dǎo)率增加到218?W/(m·K)。
在納米氮化鋁粉體的制備過(guò)程中,等離子化學(xué)合成法、化學(xué)氣相沉積法以及濕化學(xué)結(jié)合碳熱還原法是目前的主要合成方法。相對(duì)于前兩種制備方法,濕化學(xué)結(jié)合碳熱還原法技術(shù)比較成熟,工藝過(guò)程簡(jiǎn)便,適合于工業(yè)化生產(chǎn)應(yīng)用。目前,通過(guò)濕化學(xué)方法,如溶膠-凝膠法、共沉淀法等,以溶液形式實(shí)現(xiàn)鋁源和碳源在分子級(jí)水平的均勻混合,進(jìn)而通過(guò)碳熱還原法制備得到顆粒分布均勻、粒徑細(xì)小的納米氮化鋁粉體已經(jīng)得到了廣泛研究。宋揚(yáng)等《稀有金屬材料與工程,?2005,?34(z1):?147-151》以異丙醇鋁、蔗糖、尿素為原料,采用溶膠-凝膠工藝獲得前驅(qū)體,然后在1500℃氮化得到粒徑23?nm、比表面積70?m2/g的氮化鋁粉體;Chowdhury等《J.?Cryst.?Growth,?2004,?263:?12-20》以硝酸鋁和碳黑作為原料,通過(guò)共沉淀法獲得前驅(qū)體,然后通過(guò)碳熱還原法合成得到平均粒徑100?nm的氮化鋁粉體;Qin等《Mater.?Res.?Bull.,?2008,?43:?2954-2960》以硝酸鋁、葡萄糖和尿素為原料,采用硝酸鹽-有機(jī)物低溫燃燒工藝獲得前驅(qū)體,在1550?℃氮化得到了納米級(jí)的氮化鋁粉體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)計(jì)量學(xué)院,未經(jīng)中國(guó)計(jì)量學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110349484.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





