[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110348386.1
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102543730A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 多木俊裕;金村雅仁
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 郝新慧;張浴月

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體層的表面上形成抗蝕劑圖案，在所述半導(dǎo)體層中在基板上依序形成有第一層以及第二層；

通過去除所述抗蝕劑圖案的開口區(qū)域中的一部分或整個的所述第二層來形成柵凹；

去除所述抗蝕劑圖案；

在去除所述抗蝕劑圖案后，去除附著在所述柵凹的底面和側(cè)面的干蝕刻殘留物；

在去除所述干蝕刻殘留物后，于所述底面、所述側(cè)面以及所述半導(dǎo)體層上形成絕緣膜；

在所述柵凹所形成的區(qū)域上經(jīng)由所述絕緣膜形成柵極；以及

在所述半導(dǎo)體層上形成源極和漏極。

2.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體層的表面上形成抗蝕劑圖案，在所述半導(dǎo)體層中在基板上依序形成有第一層、第二層以及第三層；

通過去除所述抗蝕劑圖案的開口區(qū)域中的一部分或整個的所述第三層來形成柵凹；

去除所述抗蝕劑圖案；

在去除所述抗蝕劑圖案后，去除附著在所述柵凹的底面和側(cè)面的干蝕刻殘留物；

在去除所述干蝕刻殘留物后，于所述底面、所述側(cè)面以及所述半導(dǎo)體層上形成絕緣膜；

在所述柵凹所形成的區(qū)域上經(jīng)由所述絕緣膜形成柵極；以及

在所述半導(dǎo)體層上形成源極和漏極。

3.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層包括形成在所述第二層上的第三層，以及通過去除整個所述第三層以及一部分或整個所述第二層來形成所述柵凹。

4.如權(quán)利要求3中所述的方法，其中在所述第二層上形成有n-GaN層，在所述n-GaN層上形成有AlN層，以及在所述AlN層上形成所述第三層。

5.如權(quán)利要求1至4任一項中所述的方法，其中，通過選自以下的一個或多個處理來去除所述干蝕刻殘留物：酸處理、有機(jī)處理、水凈化處理、過熱蒸汽處理、超臨界水處理、超臨界CO2處理、熱處理、等離子處理以及紫外線處理。

6.如權(quán)利要求1至4任一項中所述的方法，其中通過選自以下的兩個或更多個處理來去除所述干蝕刻殘留物：酸處理、堿處理、有機(jī)處理、水凈化處理、過熱蒸汽處理、超臨界水處理、超臨界CO2處理、熱處理、等離子處理以及紫外線處理，其中所述兩個或更多個處理被依序進(jìn)行。

7.如權(quán)利要求5中所述的方法，其中通過選自以下的一個或多個化合物來進(jìn)行所述酸處理：鹽酸、氫氟酸、硝酸、硫酸、磷酸、硼酸、以及這些酸的任一與過氧化氫的混合物。

8.如權(quán)利要求5中所述的方法，其中通過選自以下的一個或多個來進(jìn)行所述堿處理：氫氧化鉀、氫氧化鈉、氨、氫氧化鈣、四氧基氫氧化銨、以及這些堿的任一與過氧化氫的混合物。

9.如權(quán)利要求5中所述的方法，其中通過選自以下的一個或多個來進(jìn)行所述有機(jī)處理：乙醇、乙醛、酮、羧酸、以及它們的衍生物。

10.如權(quán)利要求5中所述的方法，其中所述熱處理、所述等離子處理以及所述紫外線處理是在形成所述絕緣膜時所使用的器件內(nèi)進(jìn)行。

11.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層是由外延生長而形成。

12.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層是由氮化物半導(dǎo)體形成。

13.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體包括i-GaN。

14.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述第二層包括AlGaN和InAlN的其中之一。

15.如權(quán)利要求1中所述的方法，還包括：

在形成所述柵極后，通過去除在所述源極和所述漏極所形成的區(qū)域中的絕緣膜來暴露所述半導(dǎo)體層；以及

在暴露所述半導(dǎo)體的區(qū)域中形成所述源極和所述漏極。

16.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中在所述抗蝕劑圖案形成于所述半導(dǎo)體層上之前，在所述半導(dǎo)體層上形成所述源極和所述漏極；

在去除所述抗蝕劑圖案后，形成用于保護(hù)所述源極和所述漏極的保護(hù)膜，以及

在形成所述保護(hù)膜之后，去除所述干蝕刻殘留物。

17.如權(quán)利要求15中所述的方法，其中在所述第一層和所述第二層上形成所述源極和所述漏極。