[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件加工設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110348348.6
• 申請(qǐng)日: 2011-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103094155A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張志剛;沈金棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件加工設(shè)備。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體器件的加工制造過(guò)程中，需要在半導(dǎo)體晶片(wafer)上生成導(dǎo)電薄膜層、絕緣薄膜層等各種薄膜層(thin-film)以及各種溝槽、開(kāi)口等，生成薄膜層和溝槽等的步驟對(duì)半導(dǎo)體器件加工而言是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

一般情況下，薄膜層的生成可以通過(guò)PVD(物理氣相淀積，又稱濺射)、熱氧化及CVD(化學(xué)氣相淀積)等手段實(shí)現(xiàn)，溝槽、開(kāi)口等可以通過(guò)刻蝕的方式實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)有技術(shù)中的CVD、熱氧化及刻蝕設(shè)備的共同點(diǎn)是，均需將待加工的晶片放置在基座上，之后在設(shè)備的腔體中進(jìn)行相應(yīng)的反應(yīng)過(guò)程，在晶片的加工過(guò)程中，為了加快反應(yīng)速度、提高加工效率等，往往對(duì)反應(yīng)環(huán)境的溫度會(huì)有一定的要求。在控制設(shè)備腔體溫度的方法中，比較常用的一種方式就是給基座加熱，之后由基座將熱量傳遞給位于基座上方的晶片，從而控制反應(yīng)速度等。

現(xiàn)有技術(shù)為基座加熱的方式如圖1所示，將半導(dǎo)體晶片13置于基座(susceptor)11上方，基座(susceptor)11一般使用陶瓷原料制作而成，基座11的下方設(shè)置有加熱燈(lamp)12。具體的，基座11的上表面設(shè)置有安裝槽14，安裝槽14的形狀與晶片13相配合，而加熱燈12則均勻的設(shè)置于基座11的下表面。在生產(chǎn)過(guò)程中，由加熱燈12產(chǎn)生的熱量傳遞給基座11，之后由基座11再將熱量傳遞給晶片13，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)過(guò)程中溫度的控制。

但是，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在同一批生產(chǎn)的器件中，某些器件的電性和良率與周邊其它器件的電性和良率相差較大。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種覆晶封裝方法，通過(guò)改變涂膠路徑，解決了現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，節(jié)省了封膠的時(shí)間，提高了封膠效率，并且在一定程度上避免了封膠區(qū)域的氣泡、包覆不良和剝離強(qiáng)度不足等現(xiàn)象。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體器件加工設(shè)備，包括：

基座；

密封地內(nèi)嵌于所述基座的加熱裝置，所述加熱裝置為直接產(chǎn)熱體。

優(yōu)選地，所述加熱裝置具體為連接有外接電源的若干電阻絲，所述電阻絲均勻的排布在所述基座內(nèi)。

優(yōu)選地，還包括與所述電阻絲相連的接地電源線。

優(yōu)選地，還包括測(cè)溫裝置，所述測(cè)溫裝置包括顯示終端以及檢測(cè)終端。

優(yōu)選地，所述檢測(cè)終端具體為熱電偶，所述熱電偶密封地內(nèi)嵌于所述基座。

優(yōu)選地，所述熱電偶為多個(gè)。

優(yōu)選地，所述基座上表面設(shè)置有硅片安裝槽。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體器件加工設(shè)備為化學(xué)氣相淀積設(shè)備、刻蝕設(shè)備或熱氧化設(shè)備中的至少一種。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體器件加工設(shè)備為型號(hào)為P5000的化學(xué)氣相淀積設(shè)備。

相對(duì)于上述背景技術(shù)中的技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，加熱裝置內(nèi)嵌于基座，加熱裝置加熱后，其產(chǎn)生的熱量能夠快速的傳遞到整個(gè)基座中，然后通過(guò)基座將熱量傳遞給放置在基座上的半導(dǎo)體晶片中，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶片的加熱。由于加熱裝置為直接產(chǎn)熱體且內(nèi)嵌于基座，一方面使得加熱裝置不易受外界環(huán)境影響而損壞，延長(zhǎng)了加熱裝置的使用壽命，另一方面加熱裝置與基座的接觸面積增大了，使得加熱裝置產(chǎn)生的熱量能夠快速、直接的全部傳遞至基座，從而基座可以快速均勻的對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加熱，從而保證了半導(dǎo)體晶片的加工質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件加工設(shè)備中基座與加熱燈之間安裝結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件加工設(shè)備中基座與加熱裝置之間安裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)部分所述，采用現(xiàn)有技術(shù)中的加熱設(shè)備生產(chǎn)出的器件中，同一批次的器件往往出現(xiàn)電性和良率不平均，且某些器件的電性和良率與周邊其它器件的電性和良率相差較大的情況。