[發(fā)明專利]一種光刻版

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110347292.2
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN103091973A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃瑋
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F7/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

1.一種光刻版，包括管芯區(qū)域塊以及所述管芯區(qū)域塊之間的劃片槽，其特征在于，所述管芯區(qū)域塊包括多個(gè)第一管芯區(qū)域塊以及一個(gè)或多個(gè)第二管芯區(qū)域塊，所述第二管芯區(qū)域塊用來設(shè)置所述光刻版的對位標(biāo)記。

2.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光刻版的曝光區(qū)域中，其中僅有一個(gè)第二管芯區(qū)域塊。

3.如權(quán)利要求1或2所述的光刻版，其特征在于，所述劃片槽的寬度的尺寸范圍為40-100微米。

4.如權(quán)利要求3所述的光刻版，其特征在于，第二管芯區(qū)域塊的數(shù)目小于或等于4個(gè)。

5.如權(quán)利要求3所述的光刻版，其特征在于，所述對位標(biāo)記的寬度大于或等于40微米并且小于或等于100微米。

6.如權(quán)利要求5所述的光刻版，其特征在于，所述對位標(biāo)記的長度大于或等于200微米并且小于或等于800微米。

7.如權(quán)利要求5所述的光刻版，其特征在于，所述對位標(biāo)記的寬度為80微米或100微米，所述劃片槽的寬度基本為40微米。

8.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述劃片槽中設(shè)置有光刻套刻、條寬測試標(biāo)記和/或參數(shù)測試圖形。

9.如權(quán)利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述多個(gè)管芯區(qū)域塊按行和列的形式排列，所述劃片槽的寬度基本為40微米。

10.如權(quán)利要求9所述的光刻版，其特征在于，每個(gè)管芯區(qū)域塊的尺寸相同，所述劃片槽在行的方向上的寬度尺寸等于其在列的方向的寬度尺寸。