[發明專利]功率放大晶體管電路及提高其穩定性的方法

無效

• 申請號: 201110343752.4
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN103095225A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 楊洪文;閻躍鵬;劉宇轍;張韌
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/189;H03F3/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種功率放大晶體管電路，包括一個功率放大晶體管(T1)和一個穩定電路(5)，該穩定電路(5)連接于功率放大晶體管(T1)的基極，其特征在于：該穩定電路(5)由一射頻輸入通路和一直流輸入通路并聯而成；該射頻輸入通路用于改善功率放大晶體管(T1)的電學穩定性，該直流輸入通路用于改善功率放大晶體管(T1)的熱穩定性。

2.根據權利要求1所述的功率放大晶體管電路，其中該射頻輸入通路由電阻(R1)和電容(C1)并聯組成，射頻輸入通路的一端連接到輸入匹配電路(2)，另一端連接到功率放大晶體管(T1)的基極。

3.根據權利要求1所述的功率放大晶體管電路，其中直流輸入通路由一個穩定電阻(R2)組成，穩定電阻(R2)一端連接到輸入偏置電路(1)，另一端也連接到功率放大晶體管(T1)的基極。

4.根據權利要求1-3的任一項所述的功率放大晶體管電路，其中功率放大晶體管(T1)的集電極經由一電感(L1)連接到電源(VCC)。

5.根據權利要求1-3的任一項所述的功率放大晶體管電路，其中功率放大晶體管(T1)的集電極經由一輸出匹配電路連接到射頻輸出端(RFOUT)。

6.根據權利要求1-3的任一項所述的功率放大晶體管電路，其中的功率放大晶體管(T1)為GaAs?HBT功率放大晶體管。

7.根據權利要求6所述的功率放大晶體管電路，其中電阻(R1)和電容(C1)的值是調節的。

8.根據權利要求6所述的功率放大晶體管電路，其中穩定電阻(R2)的值是可調節的。

9.一種提高功率放大晶體管穩定性的方法，其特征在于包括如下步驟：

在功率放大晶體管(T1)和輸入匹配電路(2)之間設置一個穩定電路(5)，該穩定電路(5)由一個射頻輸入通路和一個直流輸入通路并聯而成；

利用該射頻輸入通路來改善功率放大晶體管的電學穩定性；

利用該直流輸入通路來改善功率放大晶體管的熱穩定性。

10.根據權利要求9所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，其中該射頻輸入通路由電阻(R1)和電容(C1)并聯組成，射頻輸入通路的一端連接到輸入匹配電路(2)，另一端連接到功率放大晶體管(T1)的基極。

11.根據權利要求9所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，其中該直流輸入通路由一個穩定電阻(R2)組成，穩定電阻(R2)一端連接到輸入偏置電路(1)，另一端也連接到功率放大晶體管(T1)的基極。

12.根據權利要求9-11的任一項所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，其中的功率放大晶體管為GaAs?HBT功率放大晶體管。

13.根據權利要求12所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，還包括如下步驟：調節電阻(R1)和電容(C1)的值，得到最優的頻率穩定性，同時改善功率放大晶體管(T1)的增益。

14.根據權利要求13所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，其中根據功率放大晶體管(T1)的發射極的長、寬以及發射極指來調節電阻(R1)和電容(C1)的值。

15.根據權利要求12所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，還包括如下步驟：調節穩定電阻(R2)的值，改善電流增益坍塌，提高熱穩定性。

16.根據權利要求15所述的提高功率放大晶體管穩定性的方法，其中根據功率放大晶體管(T1)的工藝特性來調節穩定電阻(R2)的值。