[發明專利]一種Na摻雜p型ZnO薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201110342906.8
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN102373425A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 葉志鎮;劉慧斌;黃靖云;何海平;張銀珠;盧洋藩;蔣杰;李洋;潘新花
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.一種Na摻雜p型ZnO薄膜的制備方法，其特征在于該方法包括以下步驟：?

步驟1）將清洗后的石英玻璃或藍寶石或單晶ZnO作為襯底，放入脈沖激光沉積裝置的生長室中；NaF靶材、ZnO靶材與襯底之間的距離為4.5～5.5cm，生長室背底真空度抽至1×10^-4～1×10^-3?Pa，然后加熱襯底，使襯底溫度為400～700?℃，激光頻率為3～10?Hz，激光能量為250～350?mJ，進行生長；先沉積濺射ZnO靶材，然后再濺射NaF靶材，交替生長獲得Na摻雜ZnO多層薄膜；生長后的薄膜以3～5℃/min冷卻至室溫；

步驟2）將生長得到的Na摻雜ZnO薄膜在400～800℃在管式爐或快速退火爐進行退火處理。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1）中利用NaF靶材作為Na離子摻雜源；ZnO靶材和NaF靶材交替生長制備Na摻雜ZnO薄膜。