[發明專利]薄膜硅太陽能電池的背散射表面及其制備方法無效
| 申請號： | 201110342263.7 | 申請日： | 2011-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN102420260A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 吳永剛;劉仁臣;夏子奐;唐平林 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海東亞專利商標代理有限公司 31208 | 代理人： | 陳樹德;李穎薇 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 太陽能電池 散射 表面 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜硅太陽能電池的背散射表面，該背散射表面為沉積在襯底表面的薄膜，其特征在于：所述作為背散射表面的薄膜為復合膜，由與襯底直接接觸的在較低溫度下沉積易改變形貌的金屬或在較低溫度下熱處理后易改變形貌的金屬形成的金屬膜和Ag膜復合而成，且復合膜的表面呈現亞微米尺度的粗糙結構形貌。
2.根據權利要求1所述的薄膜硅太陽能電池的背散射表面，其特征在于：所述的在較低溫度下沉積易改變形貌的金屬或在較低溫度下熱處理后易改變形貌的金屬為Al、Sn、Zn中的一種，構成的背散射表面為Al/Ag、Sn/Ag、Zn/Ag復合膜中的一種。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜硅太陽能電池的背散射表面，其特征在于：所述的復合膜中，在較低溫度下沉積易改變形貌的金屬或在較低溫度下熱處理后易改變形貌的金屬形成的金屬膜厚度范圍是250nm～600nm，Ag膜的厚度范圍是20nm～50?nm。
4.一種制備根據權利要求1至3之一所述的薄膜硅太陽能電池的背散射表面的方法，其特征在于：采用物理氣相沉積方法，在壓強<10-3Pa的高真空環境中：
在對襯底加熱的條件下，先在襯底上沉積厚度在250nm～600nm的金屬膜，再沉積厚度在20nm～50nm的Ag膜，構成復合膜；或者，在室溫條件下，在襯底上先沉積厚度在250nm～600nm的在較低溫度下沉積易改變形貌的金屬或在較低溫度下熱處理后易改變形貌的金屬膜，再沉積厚度在20nm～50nm的Ag膜，構成復合膜，然后對沉積的復合膜進行真空熱處理；其中，所述的對襯底加熱和真空熱處理的溫度均為150～250℃，真空熱處理時間為1～2小時，所述的金屬膜為在較低溫度下沉積易改變形貌的金屬或在較低溫度下熱處理后易改變形貌的金屬形成。
5.根據權利要求4所述的制備薄膜硅太陽能電池的背散射表面的方法，其特征在于：所述的沉積方法采用雙舟雙源的蒸發工藝或雙靶磁控濺射工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
