[發明專利]一種T型柵HEMT器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201110340553.8
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102361010A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 魏珂;劉新宇;黃俊;劉果果
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/28;H01L21/027;H01L29/778;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：本體層，設置在所述本體層表面上的緩沖層， 設置在緩沖層表面上的外延層，設置在所述外延層表面上的源極、漏極以及 源極與漏極之間的鈍化層；

在所述鈍化層表面內形成細柵圖形；

在具有細柵圖形的鈍化層表面上形成雙層光刻膠層，所述不同層面上的 光刻膠適用于不同的顯影液，同一種顯影液只能對一層光刻膠層進行顯影， 在所述雙層光刻膠層表面內形成T型柵圖形，所述T型柵圖形靠近源極的一 側與所述鈍化層表面上的交線和所述細柵圖形靠近源極一側與所述鈍化層表 面上的交線為同一條直線；

以具有T型柵圖形的雙層光刻膠層為掩膜，在所述鈍化層表面內和外延 層表面內形成T型柵圖形的柵腳圖形；

以具有T型柵圖形的雙層光刻膠層為掩膜，形成T型柵，所述T型柵的 柵腳部分穿過所述鈍化層深入到所述外延層表面內，且所述柵腳底部被分為 呈階梯狀排列的兩部分，其中，靠近源極的部分比靠近漏極的部分長。

2.根據權利要求1所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述在所述鈍化層表面內形成細柵圖形的過程具體包括：

在所述鈍化層表面上形成電子束膠層，采用電子束直寫工藝，在所述電 子束膠層表面內形成第一細柵圖形；

以具有所述第一細柵圖形的電子束膠層為掩膜，去除所述第一細柵圖形 下方的的鈍化層材料，以在所述鈍化層表面內形成細柵圖形。

3.根據權利要求2所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述細柵圖形的寬度為50nm～100nm。

4.根據權利要求3所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述細柵圖形的深度為70nm～90nm。

5.根據權利要求1所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述在所述雙層光刻膠層表面內形成T型柵圖形的過程，具體包括：

采用光學光刻工藝或電子束曝光工藝在表層的光刻膠層表面內形成T型 柵圖形的柵帽圖形；

采用電子束直寫工藝在所述T型柵圖形的柵帽圖形下方的光刻膠層表面 內形成T型柵圖形的柵腳圖形。

6.根據權利要求5所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述T型柵的柵帽寬度為300nm～500nm。

7.根據權利要求5所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述T型柵的柵腳寬度為150nm～200nm。

8.根據權利要求1所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述雙層光刻膠層表層的光刻膠為UVIII膠。

9.根據權利要求8所述T型柵HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述雙層光刻膠層表層下方的光刻膠為PMMA膠。

10.一種T型柵HEMT器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括：本體層，設置在所述本體層表面上的緩沖層，設 置在緩沖層表面上的外延層，設置在所述外延層表面上的源極和漏極以及源 極與漏極之間的鈍化層；

T型柵，所述T型柵的柵腳部分穿過所述鈍化層深入到所述外延層表面 內，且所述柵腳底部被分為呈階梯狀排列的兩部分，其中，靠近源極的部分 比靠近漏極的部分長。