[發(fā)明專利]一種提高硅薄膜太陽電池光電流的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110340268.6
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN103094404A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 郝會穎
• 申請（專利權(quán)）人: 中國地質(zhì)大學(北京)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種提高硅薄膜太陽電池光電流的方法，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

在光伏領(lǐng)域中，為提高硅薄膜太陽電池的短路電流，人們常采用光陷阱技術(shù)增加光在電池中的路程。目前的光陷阱技術(shù)主要采用絨面結(jié)構(gòu)的前電極或電池背面的背反射器，這種技術(shù)的最大特點是透明電極具有一定的織構(gòu)，因此可起到陷光作用。但這種技術(shù)也存在著很大的缺陷：(1)透明電極的織構(gòu)多采用濕法刻蝕形成，不僅需要腐蝕性較強的強酸，而且工藝條件不易控制；(2)這種織構(gòu)或絨面結(jié)構(gòu)的薄膜上生長的電池有源層的缺陷態(tài)密度較大，從而導致電池的開路電壓和填充因子降低；(3)由于織構(gòu)而導致的表面積的增大會增加載流子的表面復合；(4)起到陷光效應的光波段是固定的，不能與有源層的禁帶寬度進行匹配。

發(fā)明內(nèi)容

為解決目前硅薄膜太陽電池光陷阱技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種新型銅納米顆粒表面等離激元陷光技術(shù)，制備工藝與薄膜電池的電極工藝完全兼容，克服了由于濕法刻蝕而帶來的工藝復雜且不易控制的問題；同時也解決了由于織構(gòu)而導致的載流子表面復合、有源層缺陷態(tài)密度增大的問題；除此之外，還可通過調(diào)節(jié)銅顆粒表面等離激元的共振頻率，調(diào)節(jié)其陷光波段，因此可靈活地與電池有源層禁帶寬度進行匹配，進而有效地提高太陽電池的光電流。

本發(fā)明涉及一種利用新型銅納米顆粒表面等離激元提高硅薄膜太陽電池短路電流的方法。所采用的技術(shù)方案是：第一，以透明導電玻璃為襯底，在磁控濺射真空腔體內(nèi)沉積島狀銅膜，腔體的本底真空為5*10^-4Pa或更高，氣源采用氬氣，銅模的的厚度及微結(jié)構(gòu)通過濺射過程中的氣體壓強、功率密度、襯底溫度及沉積時間進行調(diào)控；第二，將銅島膜進行真空原位退火形成銅納米顆粒陣列，銅納米顆粒的形態(tài)可以是球形，橢球形，圓柱形或棱柱形，其密度及顆粒尺寸可由銅膜厚度、退火溫度及退火時間來控制，無需光刻工藝；第三，退火完畢后，在同一腔體內(nèi)沉積5-10nm的氧化鋅薄膜；第四，利用化學氣相沉積法制備常規(guī)PIN結(jié)；第五，再次利用磁控濺射系統(tǒng)制備銅納米陣列，基本同二和三；第六，在同一腔體內(nèi)沉積常規(guī)鋁電極。

本發(fā)明的有益效果是(1)克服了由于濕法刻蝕而帶來的工藝復雜且不易控制的問題；(2)無需采用光刻工藝，因此成本低；(3)解決了由于織構(gòu)而導致的載流子表面復合、有源層缺陷態(tài)密度增大的問題；(4)可通過調(diào)節(jié)銅顆粒表面等離激元的共振頻率，調(diào)節(jié)其陷光波段，因此可靈活地與電池有源層禁帶寬度進行匹配，進而有效地提高太陽電池的光電流。

附圖說明

下面，結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明

附圖是應用銅納米顆粒表面等離激元后的太陽電池的縱剖面圖

1.透明導電玻璃襯底，作為太陽電池的一個電極；

2.銅納米顆粒陣列，其形態(tài)可以為球形，橢球形，圓柱形及棱柱形；

3.極薄的高阻氧化鋅薄膜

4.常規(guī)PIN結(jié)；

5.銅納米顆粒陣列，其形態(tài)可以為球形，橢球形，圓柱形及棱柱形；

6.常規(guī)鋁電極。

具體實施方式

如圖1，以透明導電玻璃(1)為襯底，在磁控濺射真空腔體內(nèi)沉積銅島膜，具體工藝參數(shù)如下：本底真空為5*10^-4Pa或更高，銅靶純度為99.99％以上，氣體采用純度為99.999％的氬氣，沉積氣壓在0.8Pa-3Pa之間，襯底溫度為150℃-200℃，沉積時間為10S-30S，薄膜厚度為15nm-30nm。將制備完成后的銅島膜在同一真空腔體內(nèi)進行原位退火，退火溫度維持在300℃-400℃，退火時間為1.5-3小時，形成銅納米顆粒陣列(2)，其尺寸在15-30nm之間，其形態(tài)可以為球形、橢球形、圓柱形或棱柱形，可根據(jù)需要通過延長退火時間增加顆粒間距。退火完畢后抽真空10-20分鐘，使腔體內(nèi)真空度達到5*10^-4Pa或更高，在銅納米陣列上沉積高阻氧化鋅薄膜(3)，靶材采用純度為99.99％以上的氧化鋅靶，氣體采用純度為99.999％的氬氣，沉積氣壓在1-2Pa左右，襯底溫度為200℃左右，氧化鋅薄膜的厚度在5-8nm。然后將樣品從腔體取出，利用化學氣相沉積法制備常規(guī)PIN結(jié)(4)。PIN結(jié)上面制備銅納米顆粒陣列(5)，制備方法基本與(2)同，但顆粒尺寸應在15nm-60nm之間。銅納米陣列(2)與(5)可激發(fā)表面等離激元，表面等離激元的共振頻率可通過調(diào)節(jié)顆粒尺寸及密度進行調(diào)控，進而可與有源層的禁帶寬度(1.2-1.7ev)進行優(yōu)化匹配。最后在同一磁控濺射腔體內(nèi)制備常規(guī)鋁電極(6)。