[發(fā)明專利]切割、研磨硅片表面清洗設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110339672.1
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102412173A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設計）人: 汪貴發(fā);蔣建松
• 申請（專利權）人: 浙江光益硅業(yè)科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B3/12;B08B3/08
• 代理公司: 杭州裕陽專利事務所(普通合伙) 33221
• 代理人: 江助菊

1.切割、研磨硅片表面清洗的設備，包括硅片、硅片的承載體、依次清洗硅片及完成相應清洗步驟的工位，所述的工位包括設有水和鼓泡超聲溢流漂洗的一工位的清洗槽、設有酸溶液和鼓泡中超聲清洗的二工位的清洗槽、設有堿性清洗劑超聲清洗的三工位的清洗槽、設有堿性清洗劑超聲清洗槽的四工位、設有去離子水超聲溢流清洗的五至八工位的清洗槽，其特征在于：所述的二工位的清洗槽與三工位的清洗槽之間設有軟化水超聲溢流漂洗工位的清洗槽，五至八工位清洗槽中設有高頻率超聲波發(fā)生源；所述的超聲清洗槽全部工位的實際有效使用面積內(nèi)超聲波功率為1.5?w/cm²，所述的硅片連同硅片的承載體從八工位去離子水清洗后進入設有高純氮氣溫度為100~120℃的九工位離心甩干，而后下料。

2.如權利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的鼓泡源為注入水中的高純氮氣。

3.如權利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的高頻率超聲波發(fā)生源的五至八工位清洗槽，選用60～80KHZ的高頻率超聲波發(fā)生源換能器。

4.如權利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的超聲清洗槽全部工位的實際有效使用面積內(nèi)超聲波功率為1.5?w/cm²，均選用單頭100W的高功率換能器作超聲波發(fā)生源來實現(xiàn)。

5.如權利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的五至八工位的清洗槽階梯溢流，去離子水從八工位的清洗槽注入，后一工位的清洗槽高于前一工位的清洗槽，后一工位的清洗槽的去離子水溢流至前一工位的清洗槽，五工位的清洗槽去離子水溢流直接排放。

6.如權利要求5所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的階梯溢流階梯差為20mm。

7.如權利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的酸溶液為HF酸溶液。

8.如權利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的設備，其特征在于：所述的酸溶液為3~5%的HF酸溶液。