[發明專利]EEPROM存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201110338861.7
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN103094284A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 金鳳吉;蘭啟明;郭兵;趙曉燕
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;G11C16/04;H01L21/8247
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，包括步驟：

提供半導體襯底；

進行第一離子注入，在所述半導體襯底內形成輕摻雜源/漏區；

進行變角度第二離子注入，形成位于所述輕摻雜漏區表面區域的第一淺摻雜區和位于輕摻雜源區表面區域的第二淺摻雜區，所述變角度第二離子注入的摻雜離子導電類型與第一離子注入摻雜離子導電類型相同；

對所述半導體襯底進行退火，激活摻雜離子，使第一淺摻雜區和第二淺摻雜區相接觸；

在所述半導體襯底上形成分立的存儲晶體管和選擇晶體管，所述存儲晶體管包括輕摻雜源/漏區半導體襯底表面的柵極堆疊和位于柵極堆疊兩側半導體襯底內的源/漏區，所述選擇晶體管包括輕摻雜源/漏區以外半導體襯底表面的柵極堆疊和位于柵極堆疊兩側半導體襯底內的源/漏區。

2.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述第二離子注入摻雜離子的原子量小于第一離子注入摻雜離子的原子量。

3.如權利要求1或2所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一離子注入的摻雜離子為砷離子。

4.如權利要求1或2所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述變角度第二離子注入的摻雜離子為磷離子。

5.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述變角度第二離子注入的角度范圍為30°～60°。

6.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述變角度第二離子注入的劑量小于第一離子注入的劑量。

7.如權利要求3所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述變角度第二離子注入的劑量為第一離子注入的劑量的1/5～1/10。

8.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度范圍為950℃～1000℃，退火工藝時間范圍為1.5～3小時。

9.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一淺摻雜區和第二淺摻雜區形成過程為：形成覆蓋所述半導體襯底的光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，形成暴露所述半導體襯底表面的第一開口和第二開口；沿所述第一開口和第二開口進行第一離子注入，在所述半導體襯底內形成輕摻雜漏區和輕摻雜源區；沿所述第一開口和第二開口進行變角度第二離子注入，形成位于輕摻雜漏區表面區域的第一淺摻雜區和位于輕摻雜源區表面區域的第二淺摻雜區。

10.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述存儲晶體管柵極堆疊包括依次位于半導體襯底表面的隧穿氧化層、浮柵、柵間介質層和控制柵。

11.如權利要求1所述EEPROM存儲器的制作方法，其特征在于，所述選擇晶體管柵極堆疊包括依次位于半導體襯底表面的柵氧化層和柵電極。

12.一種EEPROM存儲器，其特征在于，包括：

半導體襯底，位于所述半導體襯底上分立的存儲晶體管柵極堆疊和選擇晶體管柵極堆疊，所述存儲晶體管柵極堆疊包括依次位于半導體襯底表面的隧穿氧化層、浮柵、柵間介質層和控制柵，所述選擇晶體管柵極堆疊包括依次位于半導體襯底表面的柵氧化層和柵電極；

位于所述存儲晶體管柵極堆疊兩側半導體襯底內的源漏區；

位于所述選擇晶體管柵極堆疊兩側半導體襯底內的源漏區；

位于所述存儲晶體管柵極堆疊下方半導體襯底內的輕摻雜漏區和輕摻雜源區；

位于所述輕摻雜漏區表面區域的第一淺摻雜區和輕摻雜源區表面區域的第二淺摻雜區，所述第一淺摻雜區和第二淺摻雜區相接觸，所述第一淺摻雜區和第二淺摻雜區摻雜離子的導電類型與輕摻雜漏區和輕摻雜源區摻雜離子的導電類型相同。

13.如權利要求12所述的EEPROM存儲器，其特征在于，所述第一淺摻雜區和第二淺摻雜區摻雜離子的原子量小于輕摻雜漏區和輕摻雜源區摻雜離子的原子量。