[發明專利]硅通孔的形成方法

有效

• 申請號: 201110338467.3
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN103094187A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 蔣莉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底，所述硅襯底上形成有層間介質層和貫穿所述層間介質層、且底部位于硅襯底中的通孔；

形成覆蓋所述通孔底部、側壁及層間介質層的停止層；

向所述通孔中填充導電材料，去除多余導電材料至露出層間介質層；

對所述硅襯底進行第一次晶圓背面磨削，直至露出停止層；

對所述硅襯底進行第二次晶圓背面磨削，直至露出導電材料，形成硅通孔。

2.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止層的材質為氮化硅。

3.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆蓋通孔底部停止層的厚度在的范圍內。

4.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述多余導電材料通過CMP工藝去除。

5.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，形成所述覆蓋通孔底部、側壁及層間介質層的停止層之前還包括形成覆蓋所述通孔底部、側壁及層間介質層的刻蝕停止層；向所述通孔中填充導電材料，去除多余導電材料至露出層間介質層之前還包括：向所述通孔填充保護層，所述保護層覆蓋通孔底部；對所述停止層進行無圖形刻蝕至露出刻蝕停止層；去除所述通孔中的保護層。

6.如權利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質為氮化鈦或氮化鉭。

7.如權利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層間介質層的刻蝕停止層的厚度在范圍內。

8.如權利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保護層的厚度在5～15um的范圍內。

9.如權利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保護層的材質為光刻膠或BARC。

10.如權利要求9所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保護層通過灰化工藝去除。

11.如權利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，通過含碳和氟的刻蝕氣體對所述停止層進行無圖形刻蝕。

12.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述導電材料的材質為銅或鎢。

13.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述第一次晶圓背面磨削通過CMP工藝進行。

14.如權利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述第二次晶圓背面磨削通過CMP工藝進行。