[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201110335709.3 | 申請日： | 2011-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN103094183A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 鮑宇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成阻擋層和至少一個犧牲結構；
在所述阻擋層和犧牲結構上覆蓋犧牲罩層；
刻蝕所述犧牲罩層，保留位于所述犧牲結構側壁的犧牲罩層，形成犧牲側墻；
去除所述犧牲結構；
沉積介質層和硬掩膜層；
形成多個布線溝槽，所述布線溝槽穿通所述硬掩膜層、介質層以及阻擋層，并與所述犧牲側墻位置錯開；
在所述布線溝槽中填充金屬互連線；
進行化學機械研磨工藝，直至暴露所述介質層和犧牲側墻；
去除所述犧牲側墻。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在刻蝕所述犧牲罩層的步驟中，還保留部分位于所述犧牲結構上的犧牲罩層；在去除所述犧牲結構的步驟中，同時去除位于所述犧牲結構上的犧牲罩層。
3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲結構的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶態碳中的一種或其組合，所述犧牲罩層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶態碳中的一種或其組合。
4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲結構的材料為氮化硅，所述犧牲罩層的材料為氧化硅。
5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在刻蝕所述犧牲罩層的步驟中，采用干法刻蝕工藝。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在去除犧牲側墻的步驟中，采用濕法刻蝕去除。
7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述介質層的材料為低介電常數材料。
8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述介質層的厚度大于所述犧牲側墻的高度。
9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲結構的厚度大于20nm，所述犧牲結構寬度范圍為5～15nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
