[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201110335122.2
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102403365A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 陳嘉祥;洪銘欽;涂峻豪;林威廷;張鈞杰
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/027
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

一基板；

一柵極，配置于該基板上；

一柵絕緣層，配置于該柵極上；

一源極與一漏極，配置于該柵絕緣層上；

一通道層，位于該源極與該漏極上方或下方，其中該通道層的一部分暴露于該源極與該漏極之間；以及

一第一圖案化保護層，配置于該通道層的該部分上，其中該第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且該第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該金屬氧化物包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿或氧化鉭。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，更包括一第二圖案化保護層，覆蓋該第一圖案化保護層、該柵絕緣層以及該源極與該漏極，其中該第二圖案化保護層的材料包括一有機絕緣材料。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，該有機絕緣材料包括丙烯酸聚合物、環烯烴聚合物、環氧樹脂、硅氧烷、氟聚合物或其組合。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二圖案化保護層的厚度為0.2微米至3微米。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該通道層的材料包括氧化銦鎵鋅、氧化鋅、氧化錫或二氧化錫。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該通道層位于該源極與該漏極上方，且位于該第一圖案化保護層與該源極與該漏極之間。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該通道層位于該源極與該漏極下方，且位于該柵絕緣層與該源極與該漏極之間。

9.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一柵極；

于該柵極上形成一柵絕緣層；

于該柵絕緣層上形成一源極與一漏極；

形成一通道層，且該通道層位于該源極與該漏極上方或下方，其中該通道層的一部分暴露于該源極與該漏極之間；以及

于該通道層的該部分上形成一第一圖案化保護層，其中該第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且該第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該通道層與該第一圖案化保護層的形成方法包括：

于該源極與該漏極上形成該通道層；以及

于該通道層上形成該第一圖案化保護層。

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該通道層與該第一圖案化保護層的形成方法包括：

于該源極與該漏極上形成一通道材料層；

于該通道材料層上形成一第一保護材料層；

于該第一保護材料層上形成一掩膜層；以及

以該掩膜層為掩膜，圖案化該通道材料層與該第一保護材料層，以形成該通道層與該第一圖案化保護層。

12.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該通道層、該源極與該漏極以及該第一圖案化保護層的形成方法包括：

于該柵絕緣層上形成該通道層；

于該通道層上形成該源極與該漏極；以及

于該通道層的該部分上形成該第一圖案化保護層。

13.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該金屬氧化物包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿或氧化鉭。

14.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一圖案化保護層的厚度為100埃。

15.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該通道層的材料包括氧化銦鎵鋅。

16.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，更包括形成一第二圖案化保護層，以覆蓋該第一圖案化保護層、該柵絕緣層以及該源極與該漏極，其中該第二圖案化保護層的材料包括一有機絕緣材料。