[發(fā)明專利]半導體模塊及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110332018.8
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102403296A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設計）人: U·基爾希納;R·西米尼克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

技術領域

本發(fā)明涉及一種包含半導體芯片和至少兩個接觸元件的模塊。此外，本發(fā)明涉及這種模塊的制造方法。

背景技術

典型地，包括半導體芯片的半導體模塊具有至少兩個或者更多的接觸元件，其中向這些接觸元件施加不同的電壓。當操作所述模塊時，應當防止接觸焊盤的不希望的電耦合。這在減小模塊尺寸和/或在向不同接觸元件施加差別很大的電壓時尤其重要。

附圖說明

附圖被包含以用于提供對實施例的進一步理解，并且其結合在該說明書中并構成說明書的一部分。所述附圖闡明了實施例并且與描述一起用于解釋實施例的原理。在其他實施例和實施例通過參考下面的詳細描述將變得更好理解時，其眾多預期優(yōu)點將很容易理解。附圖的元件相對彼此未必是按比例繪制的。同樣的附圖標記表示相似的部件。

圖1A-1B示意性地圖示模塊的一個實施例的截面圖和頂視圖，該模塊包括半導體芯片、第一接觸元件、第二接觸元件和位于第一和第二接觸元件之間的絕緣材料；

圖2A-2D示意性地圖示模塊的實施例的截面圖，該模塊包括半導體芯片、第一接觸元件、第二接觸元件和位于第一和第二接觸元件之間的絕緣材料；

圖3A-3D示意性地圖示模塊制造方法的實施例的截面圖，該模塊包括半導體芯片、第一接觸元件、第二接觸元件和位于第一和第二接觸元件之間的絕緣材料；

圖4A-4J示意性地圖示模塊制造方法的實施例的截面圖，該模塊包括半導體芯片、第一接觸元件、第二接觸元件和位于第一和第二接觸元件之間的絕緣材料；

圖5A-5G示意性地圖示模塊制造方法的實施例的截面圖，該模塊包括半導體芯片、第一接觸元件、第二接觸元件和位于第一和第二接觸元件之間的絕緣材料；以及

圖6A-6H示意性地圖示位于第一和第二接觸元件之間的絕緣材料的不同布置的截面圖。

具體實施方式

在以下具體實施方式中，參照了附圖，這些附圖形成以下具體實施方式的一部分，并且其中以示意的方式示出了可實施本發(fā)明的具體實施例。在這一點上，參照所描述的(多個)附圖的定向，使用了方向性術語，如“頂”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等等。由于實施例的組件可以以多個不同定向而定位，因此方向性術語用于示意的目的而決不進行限制。應當理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下，可以利用其他實施例并且可以進行結構上或邏輯上的改變。因此，以下詳細描述不應視為具有限制意義，并且本發(fā)明的范圍由所附權利要求限定。

應當理解，這里所描述的各種示范性實施例的特征可以相互組合，除非另外特別說明。

正如本說明書中所采用的，術語“耦合”和/或“電耦合”并非意味著元件必須直接耦合在一起；在“耦合”或“電耦含”的元件之間可以提供介于其間的元件。

下面將描述包含半導體芯片的模塊。所述模塊也可以稱為半導體封裝、器件或設備，或可以使用任何其他適當?shù)男g語。半導體芯片可以是不同類型，可以采用不同的技術制造，并且可以包括例如集成電路，電光電路或電機械電路或無源元件。例如，半導體芯片可以配置為功率半導體芯片，如功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、JFET(結柵場效應晶體管)、功率雙極晶體管或功率二極管。此外，半導體芯片可以包括控制電路、微處理器或微機電組件。特別地，可以包含具有垂直結構的半導體芯片，也就是說半導體芯片采用電流沿垂直于半導體芯片的主表面的方向流動的方式制造。具有垂直結構的半導體芯片可以具有接觸元件，特別地，在其兩個主表面上，也就是說在其頂面(top?side)和底面(bottom?side)。特別地，功率半導體芯片可具有垂直結構。作為例子，功率MOSFET的源電極和柵電極可以位于一個主表面上，而功率MOSFET的漏電極被布置在另一主表面上。此外，下文所描述的模塊可以包括集成電路，用于控制其他半導體芯片的集成電路，如功率半導體芯片的集成電路。半導體芯片不需要采用特定的半導體材料如Si，SiC，SiGe，GaAs制造，并且還可以包含并非半導體的無機和/或有機材料，如絕緣體、塑料或金屬。此外，半導體芯片可以是封裝的或未封裝的。