[發(fā)明專利]發(fā)光二極管晶片的切割方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110331893.4
• 申請(qǐng)日: 2011-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN102368521A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊文華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市瑞豐光電子股份有限公司;寧波市瑞康光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 深圳市維邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44269
• 代理人: 黃莉

1.一種發(fā)光二極管晶片的切割方法，其包括以下步驟：

提供一個(gè)發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片包括基板、多個(gè)發(fā)光二極管晶粒及封裝層，所述基板包括一個(gè)第一表面及一個(gè)與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒貼設(shè)于所述基板的第一表面上，所述封裝層覆蓋于所述基板的第一表面上并覆蓋所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒；及

采用切割刀和激光分別切割所述發(fā)光二極管晶片的封裝層和基板，將所述發(fā)光二極管晶片分割成多個(gè)發(fā)光二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述發(fā)光二極管晶片時(shí)，先采用切割刀從基板的第一表面一側(cè)將所述封裝層切斷，再采用激光從所述基板的第二表面一側(cè)將所述基板切斷。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封裝層的厚度。

4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切斷所述封裝層后，又進(jìn)一步切割基板厚度的1/20-1/2。

5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度為基板厚度的1/2-1。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述發(fā)光二極管晶片時(shí)，先采用激光從所述基板的第二表面一側(cè)切割所述基板，再采用切割刀從基板的第一表面一側(cè)將發(fā)光二極管晶片切斷。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封裝層的厚度。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切斷所述封裝層后，又進(jìn)一步切割基板厚度的1/20-1/2。

9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度為基板厚度的1/2-1。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，所述切割刀選自樹脂刀、金屬刀或石英刀。