[發明專利]一種脫除光氣的的方法

無效

• 申請號: 201110330351.5
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN103073452A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 李大鵬;于正一;萬錦明;馬明飛
• 申請（專利權）人: 上海巴斯夫聚氨酯有限公司;巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C07C265/14
• 分類號: C07C265/14;C07C263/10
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 胡美強;沈利

技術領域

本發明屬于化工領域，特別涉及一種從TDI的胺光氣化反應物中脫除光氣的方法。

背景技術

甲苯二異氰酸酯(TDI)主要由胺光氣化法生產制造。TDI的胺光氣化法采用液相法，即將原料溶于溶劑中，反應在溶液中進行。反應產物為TDI、氯化氫及其他副產物。未反應的光氣需要從反應混合物中分離脫除。光氣化反應后分離光氣的方法傳統是精餾。一般的光氣脫除系統設計為塔內二次蒸汽汽提脫除，塔底溫度高，耗能大，控制參數要求嚴格，換熱器易結垢，存在腐蝕泄漏風險，同時由于在高溫區停留時間長造成產品損失。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題就是針對目前TDI的胺光氣化生產中脫除光氣時塔底溫度高，耗能大，控制參數要求嚴格，換熱器易結垢，產品在高溫區停留時間長造成損失的缺陷或不足，提供一種從TDI的胺光氣化反應物中脫除光氣的方法，該方法塔底溫度較低，耗能小控制參數要求寬松，換熱器不易結垢，產品在高溫區停留時間不長損失小。

本發明的技術方案如下：一種從TDI的胺光氣化反應物中脫除光氣的方法，包括塔內蒸汽汽提脫除，其中在塔底加入光氣化過程中產生的HCl尾氣和/或CO尾氣進行氣提。

優選的，氯化氫和/或一氧化碳加入的位置是在塔釜。

優選的，氯化氫和/或一氧化碳加入量為50-1000kg/h。

優選的，氯化氫和/或一氧化碳的進料溫度為60-180℃，壓力為2-10bar。

優選的塔底溫度可以在較寬的范圍內，更優選可以在較低的溫度下。所述的較低是與常規的脫除光氣氣提溫度相比較。

最優選氯化氫和/或一氧化碳加入后塔底溫度降低20-30℃。

優選的可以減少塔釜蒸汽的加入量。

優選的汽提氣體量在較寬的范圍內，更優選氣體量減少。最優選氯化氫或一氧化碳加入后塔釜蒸汽流量降低5-30％。

優選的可以選擇使用或不使用塔底/中間再沸器。

優選的，氯化氫和/或一氧化碳加入后塔底物流的光氣含量可以降低到0.001％-0.1％。

本發明所用的原料或試劑除特別說明之外，均市售可得。

相比于現有技術，本發明的有益效果如下：本發明使用氯化氫或一氧化碳加入塔底進行氣提作為輔助手段，減少塔釜蒸汽的加入量。可以在較低的溫度下脫除光氣，可以選擇使用或不使用塔底/中間再沸器，塔底溫度、汽提氣體量等控制參數在較寬的范圍內操作均可達到相當或好于傳統設計的光氣脫除效果，同時減少了產品損失，降低了能耗，避免了換熱器結垢，提高了系統安全性能。

附圖說明

以下結合附圖說明本發明的特征和有益效果。

圖1是本發明從TDI的胺光氣化反應物中脫除光氣的示意圖。

具體實施方式

下面用實施例來進一步說明本發明，但本發明并不受其限制。下列實施例中未注明具體條件的實驗方法，通常按照常規條件，或按照制造廠商所建議的條件。

實施例1

從TDI的胺光氣化反應后，反應產物和剩余的反應原料一并進入脫氣塔，采用塔內蒸汽汽提，本發明還在塔底加入光氣化過程中產生的HCl尾氣和/或CO尾氣進行氣提。氯化氫和/或一氧化碳加入的位置是在塔釜。氯化氫和/或一氧化碳加入量為50-1000kg/h。氯化氫和/或一氧化碳的進料溫度為60-180℃，壓力為2-10bar。選擇使用或不使用塔底/中間再沸器。

氯化氫和/或一氧化碳加入后塔底溫度降低20-30℃。塔釜蒸汽流量降低5-30％。塔底物流的光氣含量降低到0.001％-0.1％。

應理解，在閱讀了本發明的上述內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。