[發(fā)明專利]電磁法制備高純硅及鋁硅合金的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110328970.0
• 申請(qǐng)日: 2011-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN102373351A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬文會(huì);余文軸;魏奎先;謝克強(qiáng);周陽;郁青春;劉永成;周曉奎;陳建云;劉大春;楊斌;戴永年
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆明理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C22C21/02
• 分類號(hào): C22C21/02;B22D27/02;C01B33/021
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電磁法制備高純硅及鋁硅合金的方法，其特征在于具體制備步驟經(jīng)過如下：

（1）預(yù)處理：將過共晶鋁硅合金磨成50目以下的細(xì)粉，并研磨均勻，壓塊后置于爐內(nèi)，控制爐內(nèi)壓力為常壓，溫度為700～2100℃，在爐內(nèi)進(jìn)行加熱至熔化，反應(yīng)時(shí)間為5～90分鐘；

（2）電磁定向凝固處理：將熔融的物料進(jìn)行定向凝固處理，凝固速率為5μm/s～1000μm/s，并同時(shí)在樣品外部加磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T～1000T；使深褐色固相硅在磁化力的作用下優(yōu)先析出并沉積到下部，而亮白色鋁硅合金析出后在上部，形成一個(gè)界面；

（3）切割分離：將步驟（2）中所獲得的產(chǎn)品沿硅和鋁硅合金的界面處進(jìn)行切割分離，最后得到高純硅和鋁硅合金兩種產(chǎn)品。

2.?根據(jù)權(quán)利要求書1所述的電磁法制備高純硅及鋁硅合金的方法，其特征在于：所述過共晶鋁硅合金的成分質(zhì)量百分比范圍：Si?18～35%、Fe?0.48～0.57%、Si?11.8～12.5%，余量為鋁。