[發(fā)明專(zhuān)利]一種刻蝕方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110328923.6
• 申請(qǐng)日: 2011-10-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103074633A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊征
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浚鑫科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23F4/00
• 分類(lèi)號(hào): C23F4/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的方法，特別涉及一種刻蝕方法。

背景技術(shù)

隨著社會(huì)的飛速發(fā)展，石油，煤炭等不可再生能源的儲(chǔ)量越來(lái)越少，價(jià)格越來(lái)越高。作為重要的清潔能源之一，目前利用太陽(yáng)能的技術(shù)越來(lái)越受到重視并得到廣泛的應(yīng)用。目前晶體太陽(yáng)能電池的技術(shù)生產(chǎn)工藝已經(jīng)開(kāi)始成熟，在生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的方法中，周邊刻蝕是其中很重要的部分，主要是為了去掉擴(kuò)散時(shí)在硅片側(cè)面形成的PN結(jié)導(dǎo)電層。目前周邊刻蝕分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩種方法。

在現(xiàn)有技術(shù)中，干法刻蝕是通過(guò)射頻輝光將反應(yīng)氣體激活成等離子體，這些等離子體擴(kuò)散到需要刻蝕的部位，與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。通常的工藝是通入反應(yīng)氣體四氟化碳和氧氣，執(zhí)行一次射頻輝光的步驟，產(chǎn)生的氟游離基可以與二氧化硅和硅發(fā)生反應(yīng)，在刻蝕完二氧化硅之后繼續(xù)對(duì)硅進(jìn)行刻蝕，完成工藝步驟。

在現(xiàn)有技術(shù)方法的刻蝕反應(yīng)中，等離子體將被刻蝕材料中的二氧化硅刻蝕完后，會(huì)繼續(xù)對(duì)硅進(jìn)行刻蝕，若直接采用一次射頻輝光，不改變氧氣濃度，會(huì)使得在刻蝕完二氧化硅之后對(duì)硅的刻蝕不充分。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供能夠在刻蝕后期對(duì)硅充分刻蝕的刻蝕方法。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種刻蝕方法，包括：

步驟1，向反應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，所述反應(yīng)氣體包括氧氣，

步驟2，減小通入反應(yīng)室的氧氣濃度，繼續(xù)利用射頻輝光將所述反應(yīng)室的反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，將常規(guī)刻蝕工藝中一步射頻輝光分兩步來(lái)完成。在第一次射頻輝光主要刻蝕二氧化硅層后，第二次射頻輝光通過(guò)降低氧氣的濃度使得對(duì)硅的刻蝕速率上升，從而在完成對(duì)二氧化硅的刻蝕后，充分對(duì)硅的進(jìn)行刻蝕，提高刻蝕效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中刻蝕方法第一實(shí)施例示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中刻蝕方法第二實(shí)施例示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供能夠在刻蝕后期對(duì)硅充分刻蝕的刻蝕方法。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例中刻蝕方法第一實(shí)施例包括：

1、第一次射頻輝光；

向反應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，反應(yīng)氣體包括氧氣和四氟化碳，氧氣的流量為60毫升每分(sccm)至100sccm，四氟化碳的流量為400sccm至500sccm，反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)設(shè)定為450帕(pa)，射頻輝光時(shí)間為500秒(s)。

2、減少氧氣濃度，第二次射頻輝光；

減少通入反應(yīng)室的氧氣濃度，繼續(xù)利用射頻輝光將所述反應(yīng)室的反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，氧氣的流量為40sccm至60sccm，四氟化碳的流量為300sccm至350sccm，通過(guò)改變各反應(yīng)氣體的流量來(lái)控制氧氣濃度，且通過(guò)減小反應(yīng)氣體的總流量來(lái)減小反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)，反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)設(shè)定為400pa，射頻輝光時(shí)間為1000s。

本實(shí)施例中，通過(guò)將現(xiàn)有技術(shù)中一步完成的射頻輝光分為兩步來(lái)完成，在較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行第一次射頻輝光，在第一次射頻輝光主要刻蝕二氧化硅層后，第二次射頻輝光通過(guò)降低氧氣的濃度使得對(duì)硅的刻蝕速率上升，從而在完成對(duì)二氧化硅的刻蝕后，充分對(duì)硅的進(jìn)行刻蝕，提高刻蝕效果。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明實(shí)施例中刻蝕方法第二實(shí)施例包括：

11、第一次穩(wěn)壓；

穩(wěn)定通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量以及穩(wěn)定反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)，反應(yīng)氣體包括氧氣和四氟化碳，氧氣的流量為60sccm至100sccm，四氟化碳的流量為400sccm至500sccm，反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)設(shè)定為450pa，穩(wěn)壓時(shí)間為60s。

12、第一次射頻輝光；

保持反應(yīng)氣體流量以及反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，射頻輝光時(shí)間為500s。

21、減少氧氣濃度，第二次穩(wěn)壓；