[發明專利]一種刻蝕方法無效
| 申請號： | 201110328923.6 | 申請日： | 2011-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN103074633A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 楊征 | 申請（專利權）人： | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23F4/00 | 分類號： | C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 214443 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 方法 | ||
1.一種刻蝕方法，其特征在于，包括：
步驟1，向反應室內通入反應氣體，利用射頻輝光將反應氣體激發為等離子體，所述反應氣體包括氧氣，
步驟2，減小通入反應室的氧氣濃度，繼續利用射頻輝光將所述反應室的反應氣體激發為等離子體。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1包括：
步驟11，穩定通入反應室的反應氣體流量以及穩定反應室內壓強；
步驟12，利用射頻輝光將反應氣體激發為等離子體；
所述步驟2包括：
步驟21，穩定通入反應室的反應氣體流量以及穩定反應室內壓強；
步驟22，利用射頻輝光將反應氣體激發為等離子體。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟2中通入反應室的反應氣體流量小于步驟1中通入反應室的反應氣體流量。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述步驟21反應室內設定的壓強比步驟11反應室內設定的壓強要小。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：所述步驟21反應室內設定的壓強為400帕。
6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟1所用時間比步驟2所用時間少。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述步驟12射頻輝光所用時間為500秒。
8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述步驟22射頻輝光所用時間為1000秒。
9.根據權利要求1、2、3或8所述的方法，其特征在于：所述步驟2通入反應室的氧氣流量值的流量范圍為40毫升每分至60毫升每分。
10.根據權利要求1、2、3或9所述的方法，其特征在于：所述步驟2通入反應室的反應氣體包括四氟化碳，所述四氟化碳流量值的范圍為300毫升每分至350毫升每分。
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