[發(fā)明專利]感光性間隙物及液晶顯示器的制作方法與陣列基板無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110328905.8 | 申請日: | 2011-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN103033993A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王怡凱;胡堂祥;楊宗樺;彭玉容;張智浩 | 申請(專利權(quán))人: | 緯創(chuàng)資通股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1339 | 分類號: | G02F1/1339;G02F1/1333;G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 感光性 間隙 液晶顯示器 制作方法 陣列 | ||
1.一種感光性間隙物的制作方法,包括:
在一基板上形成一感光材料層,該基板具有至少一不透光區(qū)以及至少一透光區(qū);
對該感光材料層進行至少一次曝光制作工藝,該至少一次曝光制作工藝包括一背面曝光制作工藝,使光線由該基板遠離該感光材料層的一側(cè)朝向該感光材料層照射以在該感光材料層中定義出位于該至少一不透光區(qū)上的至少一第一區(qū)塊以及位于該至少一透光區(qū)上的至少一第二區(qū)塊;
進行一顯影制作工藝,以至少移除該第二區(qū)塊;
對該至少一第一區(qū)塊進行一正面曝光制作工藝;以及
進行一烘烤制作工藝,使該感光材料層的該至少一第一區(qū)塊固化為感光性間隙物。
2.如權(quán)利要求1所述的感光性間隙物的制作方法,其中在該顯影制作工藝之前還包括進行一局部曝光制作工藝,使光線通過一掩模由該感光性材料層遠離該基板的一側(cè)照射該感光性材料層,該掩模遮蔽住該至少一第一區(qū)塊的至少一第一子區(qū)塊并且暴露出該至少一第一區(qū)塊的至少一第二子區(qū)塊,以在進行該局部曝光制作工藝之后,通過后續(xù)的該顯影制作工藝使該至少一第二子區(qū)塊由該基板上移除。
3.如權(quán)利要求1所述的感光性間隙物的制作方法,其中該感光材料層的材質(zhì)為圖像反轉(zhuǎn)式光致抗蝕劑。
4.如權(quán)利要求1所述的感光性間隙物的制作方法,其中該感光材料層的材質(zhì)包括AZ?5214E、TI?35E、TI?35ES、TI?Plating、TI?xLift、TI?Spray、AZ?nL?of?2070。
5.如權(quán)利要求1所述的感光性間隙物的制作方法,其中該基板上設(shè)置有排列成陣列的多個遮光元件,以定義出該不透光區(qū)。
6.如權(quán)利要求5所述的感光性間隙物的制作方法,其中該些遮光元件包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個有源元件,該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線相交,各該有源元件連接其中一條掃描線與其中一條數(shù)據(jù)線。
7.如權(quán)利要求5所述的感光性間隙物的制作方法,其中該基板上還設(shè)置有多個像素電極,各該像素電極至少配置于該至少一透光區(qū)上并通過其中一個有源元件電連接至對應的掃描線以及對應的數(shù)據(jù)線。
8.一種感光性間隙物的制作方法,包括:
在一基板上形成一感光材料層,該基板具有至少一不透光區(qū)以及至少一透光區(qū),且該感光材料層包括位于該至少一不透光區(qū)上的至少一第一區(qū)塊以及位于該至少一透光區(qū)上的至少一第二區(qū)塊;
進行一背面曝光制作工藝,使光線由該基板朝向該感光材料層照射以曝光該至少一第二區(qū)塊;
進行一顯影制作工藝以使該至少一第二區(qū)塊自該基板上移除;以及
進行一焦化制作工藝,使該第一區(qū)塊固化為至少一感光性間隙物,其中該焦化制作工藝的制作工藝溫度由170℃至190℃。
9.如權(quán)利要求8所述的感光性間隙物的制作方法,其中該焦化制作工藝的制作工藝溫度為180℃。
10.如權(quán)利要求8所述的感光性間隙物的制作方法,其中進行該顯影制作工藝之前,還包括通過一掩模對該感光性材料層進行一局部曝光制作工藝,該掩模配置于該感光材料層遠離該基板的一側(cè)并使得該至少一第一區(qū)塊劃分為被該掩模遮蔽的至少一第一子區(qū)塊以及被該掩模暴露的至少一第二子區(qū)塊,用于使得該至少一第二子區(qū)塊通過該顯影制作工藝由該基板上移除。
11.一種陣列基板,包括:
基板;
至少一遮光元件,配置于該基板上以使該基板劃分為至少一透光區(qū)以及至少一不透光區(qū);以及
感光性間隙物,配置于該基板上,位于該不透光區(qū)內(nèi),其中該感光性間隙物的輪廓與遮光元件的輪廓重疊且該感光性間隙物的材質(zhì)為圖像反轉(zhuǎn)式光致抗蝕劑。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板,其中該感光性間隙物的材質(zhì)包括AZ?5214E、TI?35E、TI?35ES、TI?Plating、TI?xLift、TI?Spray、AZ?nLof2070。
13.如權(quán)利要求11所述的陣列基板,其中該至少一遮光元件包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個有源元件,該些掃描線相交于該些數(shù)據(jù)線,且各該有源元建連接于其中一條掃描線與其中一條數(shù)據(jù)線。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結(jié)構(gòu)中的





