[發(fā)明專利]半導體封裝件及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110328853.4 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN103050466A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 林邦群;蔡岳穎;陳泳良 | 申請（專利權(quán)）人： | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 封裝 及其 制法 | ||
1.一種半導體封裝件，包括：
絕緣層，具有頂面及底面；
多條線路及連接墊，形成于該絕緣層中且凸出該絕緣層頂面，其中，該多個連接墊還外露出該絕緣層底面；
多個凸塊，其形成于該多條線路上；
半導體芯片，其設置于該凸塊上；以及
封裝膠體，其形成于該絕緣層上，以包覆該半導體芯片、凸塊、多條線路及連接墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括金屬鍍層，其形成于該多條線路上，且該凸塊形成于該金屬鍍層表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體芯片上形成有對應該凸塊的金屬柱，且該凸塊包覆該金屬柱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括形成于外露出該絕緣層底面的連接墊上的焊球。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該多條線路及連接墊的材質(zhì)皆為鎳/銅。
6.一種半導體封裝件的制法，包括：
提供一表面上形成有金屬層的基板，該金屬層具有圖案化凹槽；
于該圖案化凹槽中形成多條線路及連接墊，且該多條線路及連接墊的厚度大于該圖案化凹槽的深度；
于該金屬層底面形成包覆該多條線路及連接墊的絕緣層，并外露出該多個連接墊的底面；
移除部份的該基板及金屬層，以令該多條線路及連接墊外露并凸出該絕緣層；
借由凸塊于該多條線路上接置半導體芯片；以及
于該絕緣層上形成包覆該半導體芯片、凸塊、多條線路及連接墊的封裝膠體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該圖案化凹槽的形成包括：
于一表面上形成有金屬膜的基板上形成第一阻層，且該第一阻層具有第一開口，以外露部分金屬膜；
于該第一開口中形成金屬材料；以及
移除該第一阻層，以由該金屬材料和金屬膜構(gòu)成圖案化凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該多條線路及連接墊的形成包括：
于該金屬層上形成第二阻層，且該第二阻層具有對應外露出該圖案化凹槽的第二開口；
于該圖案化凹槽及第二開口中，形成第一圖案化金屬層；
于該第二阻層及第一圖案化金屬層上形成第三阻層，且該第三阻層具有外露部分第一圖案化金屬層的第三開口；
于該第三開口中，形成第二圖案化金屬層；以及
移除該第二阻層和第三阻層，以令該第二圖案化金屬層和第一圖案化金屬層連接的部份構(gòu)成連接墊，其余該第一圖案化金屬層構(gòu)成該線路。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于接置該半導體芯片之前，于該多條線路上，形成金屬鍍層，以將該凸塊設于該金屬鍍層上以接置該半導體芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該半導體芯片上形成有對應該凸塊的金屬柱，以于接置該半導體芯片后，令該凸塊包覆該金屬柱。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于外露出該絕緣層底面的連接墊上形成焊球。
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