[發(fā)明專利]有機(jī)層沉積設(shè)備和使用其制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110328681.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102456852A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 瓦列里·布魯辛斯奇;林·卡普蘭;鄭世呼;玄元植;羅興烈;樸慶太;鄭炳成;崔镕燮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;C23C14/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 沉積 設(shè)備 使用 制造 發(fā)光 顯示裝置 方法 | ||
1.一種用于在基底上形成有機(jī)層的有機(jī)層沉積設(shè)備,所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括:
靜電夾盤,與所述基底組合以固定地支撐所述基底,并包括用于容納所述基底的具有設(shè)定的曲率的容納表面;
沉積源,用于朝向所述基底排放沉積材料;
沉積源噴嘴單元,設(shè)置在所述沉積源的一側(cè),并包括沿第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴;以及
圖案化狹縫片,被設(shè)置為面向所述沉積源噴嘴單元,并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多個(gè)圖案化狹縫,其中,所述圖案化狹縫片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的線形成的平面上的剖面彎曲設(shè)定的程度,其中,所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向,
其中,所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片與所述基底隔開設(shè)定的距離,從而在所述基底沿所述第一方向相對(duì)于所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,當(dāng)所述基底與所述靜電夾盤的所述容納表面組合時(shí),基底被彎曲為與所述靜電夾盤具有相同的曲率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述圖案化狹縫片被彎曲為與所述靜電夾盤的所述容納表面具有相同的曲率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述圖案化狹縫片具有與所述靜電夾盤的所述容納表面的形狀對(duì)應(yīng)的多邊形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述有機(jī)層沉積設(shè)備被構(gòu)造為在與所述基底組合的所述靜電夾盤沿所述第一方向相對(duì)于所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述容納表面被構(gòu)造為由于所述靜電夾盤施加的電磁力而與所述基底緊密地組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片經(jīng)由連接構(gòu)件被整合為一體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述連接構(gòu)件被構(gòu)造為引導(dǎo)所述沉積材料的移動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述連接構(gòu)件被構(gòu)造為密封設(shè)置在所述沉積源的所述一側(cè)的所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化狹縫片之間的空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述有機(jī)層沉積設(shè)備被構(gòu)造為在所述基底沿所述第一方向相對(duì)于所述有機(jī)層沉積設(shè)備移動(dòng)的同時(shí)在所述基底上連續(xù)地沉積所述沉積材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述圖案化狹縫片比所述基底小。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述圖案化狹縫片的沿所述第二方向的寬度等于所述基底的沿所述第二方向的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述多個(gè)沉積源噴嘴以設(shè)定的角度傾斜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述多個(gè)沉積源噴嘴包括沿在所述第一方向上形成的兩個(gè)行布置的沉積源噴嘴,沿所述兩個(gè)行的所述沉積源噴嘴傾斜以彼此面對(duì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)層沉積設(shè)備,其中,所述多個(gè)沉積源噴嘴包括沿在所述第一方向上形成的第一行和第二行布置的沉積源噴嘴,
其中,定位成與所述圖案化狹縫片的左側(cè)疊置的所述第一行的沉積源噴嘴被布置為面向所述圖案化狹縫片的右側(cè),以及
定位成與所述圖案化狹縫片的所述右側(cè)疊置的所述第二行的沉積源噴嘴被布置為面向所述圖案化狹縫片的所述左側(cè)。
16.一種通過使用用于在基底上形成有機(jī)層的有機(jī)層沉積設(shè)備來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法,所述方法包括:
使所述基底彎曲,以具有設(shè)定的曲率;
將所述基底設(shè)置為與所述有機(jī)層沉積設(shè)備隔開設(shè)定的距離;以及
在使所述有機(jī)層沉積設(shè)備或所述基底相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)將從所述有機(jī)層沉積設(shè)備排出的沉積材料沉積到所述基底上。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





