[發(fā)明專利]單一芯片推挽橋式磁場傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110326725.6 | 申請日： | 2011-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN102540112A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金英西;雷嘯鋒;詹姆斯·G·迪克;沈衛(wèi)鋒;王建國;薛松生;黎偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇多維科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛(wèi);李艷 |
| 地址： | 215600 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單一 芯片 推挽橋式 磁場 傳感器 | ||
1.一種單一芯片推挽橋式磁場傳感器，它包括多個橋式連接的磁電阻元件，每個磁電阻元件包括具有敏感方向的敏感元件，敏感元件為MTJ元件、AMR元件或GMR元件，其特征在于：所述每個磁電阻元件的兩側(cè)設(shè)置有用于對所述磁電阻元件的磁化方向進行偏置的一對永磁體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：每個永磁體的長度大于該對永磁體之間的寬度以減小每對永磁體之間產(chǎn)生的邊緣化效應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：每個永磁體具有最靠近相對應(yīng)磁電阻元件的邊界邊，該邊界邊與所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器的敏感方向呈一夾角，該夾角為銳角或鈍角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：位于磁電阻元件兩側(cè)的永磁體產(chǎn)生一永磁偏置場，該永磁偏置場具有一永磁偏置方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：通過設(shè)置永磁體的厚度以改變永磁偏置場的強度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：每個永磁體具有最靠近相對應(yīng)磁電阻元件的邊界邊，通過設(shè)置永磁體的充磁方向和所述永磁體的邊界邊所成的夾角以改變永磁偏置場的強度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：所述該對永磁體具有產(chǎn)生均勻磁偏置場的形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：所述磁電阻元件之間相互平行排布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單一芯片推挽橋式磁場傳感器，其特征在于：所述磁電阻元件的周圍設(shè)置有用于預(yù)設(shè)和校準輸出偏移的通電線圈，所述磁電阻元件和通電線圈之間相絕緣。
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