[發明專利]浸沒液體、曝光裝置及曝光方法

有效

• 申請號: 201110325529.7
• 申請日: 2006-02-06
• 公開（公告）號: CN102385260A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 漢斯·詹森;馬克·凱爾特·斯坦溫哥;杰克布思·約翰納思·利昂納得斯·亨朱克思·沃斯貝;弗朗西斯克思·約翰內思·圣約瑟·詹森;安東尼·奎吉普
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

本申請是2006年2月6日申請的申請號為200680004444.6的專利申請(名稱：浸沒液體、曝光裝置及曝光方法)的分案申請。

相關申請的參照

當前申請要求2005年3月3日申請的美國專利申請11/071,044的優先權，所述美國專利申請要求2005年2月10日申請的美國臨時專利申請60/651,513的權益。兩個優先權申請通過參考整體并于此。

技術領域

本發明涉及浸沒液體、曝光裝置和曝光方法。

背景技術

由于浸沒式光刻提供對臨界尺寸和/或聚焦深度的改進，因此，浸沒式光刻得到了關注。然而，該技術也面臨一些問題。例如，一方面，當干燥超純浸沒液體弄濕的區域時，所述液體有利于使出現污染的可能性最小，但另一方面，可能會期望在浸沒液體中加入添加劑、以影響或產生期望的屬性。例如，可能期望在浸沒液體中包含酸性成份，以避免或使所謂的T型頂(T-topping)或其它不期望的效果最小化。例如，當將被暴露于輻射線的襯底上的抗蝕劑層接觸浸沒液體，并且抗蝕劑中的成份(例如，感光成酸劑)擴散或溶解入浸沒液體中時，可能會出現T型頂。參見EP?1?482?372Al。

由此，本發明的目的包括提供一種浸沒液體，所述浸沒液體包括一種或多種添加劑，并且具有減小的污染問題。

此外，本發明的目的包括避免或使由浸沒液體的流動導致的流動電位勢效應(streaming?potential?effects)最小化(下文將更詳細地描述)。

發明內容

本發明提供了浸沒液體、曝光裝置和曝光方法。

在一個實施例中，本發明提供了由如下方法形成的浸沒液體，所述方法包括：將離子形成成分(component)加入液體(例如水成液)，其中：所述離子形成成分的蒸汽壓力大于0.1kPa，例如大于水的蒸汽壓力。

在一個實施例中，本發明提供了pH值低于7的浸沒液體，所述低于7的pH值至少部分地由蒸汽壓力大于0.1kPa(例如大于水的蒸汽壓力)的成分引起。

在一個實施例中，本發明提供了pH值大于7的浸沒液體，所述大于7的pH值至少部分地由蒸汽壓力大于0.1kPa(例如大于水的蒸汽壓力)的成分引起。

在一個實施例中，本發明提供了電導率至少為0.1μS/cm的浸沒液體，例如25℃時至少為1.3μS/cm。在一個實施例中，本發明提供一種浸沒液體，其具有：在25℃時0.1-100μS/cm范圍的電導率，例如在25℃時1.3-100μS/cm的范圍。在一個實施例中，所述電導率至少部分地由蒸汽壓力大于0.1kPa(例如大于水的蒸汽壓力)的成分引起。

并且，本發明提供了使用浸沒液體的方法，例如浸沒式光刻方法。在一個實例中，本發明提供了一種制造方法，包括：使感光襯底暴露于輻射線，其中：在到達所述襯底前，所述輻射線已穿過浸沒液體。

此外，本發明提供了浸沒式光刻系統，其包括：浸沒式光刻裝置；和一種或多種浸沒液體。

在一個實施例中，本發明提供了一種方法，包括：

(i)將蒸汽壓力大于0.1kPa，例如大于水的蒸汽壓力，的成分添加入液體；

(ii)使感光襯底暴露于輻射線，其中：在到達所述感光襯底前，所述輻射線已穿過包括所述成分的所述水成液，

其中：添加所述成分的所述添加步驟增加了所述液體中的離子濃度。

在一個實施例中，本發明提供了一種方法，包括：

(i)將酸加入液體，所述酸具有至少0.1kPa的蒸汽壓力，例如至少5kPa；

(ii)使感光襯底暴露于輻射線，其中：在到達所述感光襯底前，所述輻射線已穿過包括所述成分的所述液體。

在一個實施例中，本發明提供了一種方法，包括：

(i)使輻射束形成圖案；

(ii)使形成圖案的輻射束穿過液體(例如，水成液)，所述液體包括由蒸汽壓力大于0.1kPa的成分形成的離子，所述液體的電導率至少為0.25μS/cm；

(iii)使感光襯底暴露于形成圖案的輻射束。

在一個實施例中，本發明提供了浸沒式光刻系統，包括：

(i)浸沒式光刻曝光裝置；和

(ii)浸沒液體，例如在25℃時電導率在0.1-100μS/cm范圍內的浸沒液體(例如，25℃時在1.3-100μS/cm的范圍內)，或富含二氧化碳的浸沒液體。