[發明專利]一種降低潮氣等級的半導體封裝工藝

無效

• 申請號: 201110325231.6
• 申請日: 2011-10-22
• 公開（公告）號: CN103065986A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 無錫世一電力機械設備有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州市新蘇專利事務所有限公司 32221
• 代理人: 楊曉東

1.一種降低潮氣等級的半導體封裝工藝，芯片切割，芯片鍵合，導線鍵合，其特征在于：對引線框架，連接導線，芯片需要處理的部分進行等離子清洗處理，然后對引線框架，連接導線，芯片需要加強的表面均勻施用復合助粘劑混合溶液，其中含有兩種活性成分，分別是三異硬脂酸基鈦酸異丙酯與乙烯基三甲氧基硅烷或者3-氨丙基硅三醇；常溫風干或者烘干，活性成分涂層厚度控制在10-90nm厚度，然后進行后道封裝工序。

2.根據權利要求1所述的降低潮氣等級的半導體封裝工藝，其特征在于：用氮氣對引線框架，連接導線，芯片進行等離子處理，然后使用三異硬脂酸基鈦酸異丙酯與乙烯基三甲氧基硅烷或者3-氨丙基硅三醇復合助粘劑進行處理，所述助粘劑中兩種活性成分重量百分比為90∶10-99.5∶0.5。

3.根據權利要求1所述的降低潮氣等級的半導體封裝工藝，其特征在于：先使用氬氣對引線框架，連接導線，芯片進行等離子處理，然后再使用三異硬脂酸基鈦酸異丙酯與3-氨丙基硅三醇助粘劑進行處理，所述助粘劑中的活性成分兩者重量百分比為96∶4-99.9∶0.1。