[發明專利]用于減少柵極電阻的接觸結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110324281.2
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102468328A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 張家龍;趙治平;陳俊宏;曾華洲;鄭價言;莊學理
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體器件，包括：

柵極結構，位于半導體襯底上；

源極/漏極區域，在橫向上鄰近所述半導體襯底中的所述柵極結構；

第一介電層，覆蓋所述柵極結構和所述源極/漏極區域，其中所述第一介電層具有位于所述源極/漏極區域上方的第一接觸孔；

第一接觸插塞，由填充所述第一接觸孔的第一導電材料形成，其中所述第一接觸插塞與各自的源極/漏極區域電連接；

第二介電層，覆蓋在所述第一介電層和所述第一接觸插塞上方；

第二接觸孔，形成在所述第一介電層和所述第二介電層中；

第二接觸插塞，由填充所述第二接觸孔的第二導電材料形成，其中所述第二接觸插塞與所述柵極結構電連接；和

互連結構，基本形成在所述第二介電層中，所述互連結構與所述第一接觸插塞電連接；

其中所述第二導電材料與所述第一導電材料不同，且所述第二導電材料具有比所述第一導電材料低的電阻。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一導電材料至少包括鎢或鎢基合金的其中之一。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二導電材料至少包括銅或銅基合金之一。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括處于所述第一介電層和所述第二介電層之間的蝕刻停止層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

位于所述柵極結構和所述源極/漏極區域上的硅化物層，其中所述第一接觸孔暴露所述源極/漏極區域上的所述硅化物層；以及

處于所述第一介電層和所述硅化物層之間的接觸蝕刻停止層，其中所述第一接觸孔穿過所述第一介電層和所述接觸蝕刻停止層從而暴露出所述硅化物層。

6.一種半導體器件，包括：

柵極結構，位于半導體襯底上；

源極/漏極區域，橫向上鄰近所述半導體襯底中的所述柵極結構；

第一介電層，覆蓋所述柵極結構和所述源極/漏極結構上，其中所述第一介電層具有在所述源極/漏極區域上方的第一接觸孔；

第一接觸插塞，由填充所述第一接觸孔的第一導電材料形成，其中所述第一接觸插塞與各自的源極/漏極區域電連接；

第二介電層，覆蓋在所述第一介電層和所述第一接觸插塞上方；

第二接觸孔，形成在所述第一介電層和所述第二介電層中；

第二接觸插塞，由填充基本上位于所述第一介電層中的所述第二接觸孔的第二導電材料形成，其中所述第二接觸插塞與所述柵極結構電連接；

第一互連結構，基本形成在所述第二介電層中，所述第一互連結構與所述第二接觸插塞電連接；和

第二互連結構，基本形成在所述第二介電層中，并與所述第一接觸插塞電連接；

其中所述第二導電材料與所述第一導電材料不同，且所述第二導電材料具有比所述第一導電材料低的電阻。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一導電材料至少包括鎢或鎢基合金中之一。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括位于所述第一介電層和所述第二介電層之間的蝕刻停止層。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括位于所述柵極結構和所述源極/漏極區域上的硅化物層，其中所述第一接觸孔暴露所述源極/漏極區域上的所述硅化物層。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底上形成柵極結構；

形成在橫向上與所述半導體襯底中的所述柵極結構鄰近的源極/漏極區域；

在所述柵極結構和所述源極/漏極結構上方沉積第一介電層，其中所述第一介電層具有位于所述源極/漏極區域上方的第一接觸孔；

在第一接觸孔中沉積第一導電材料從而形成第一接觸插塞，其中所述第一接觸插塞與各自的源極/漏極區域電連接，并且其中所述第一導電材料至少包括鎢或鎢基合金之一；

在所述第一介電層和所述第一接觸插塞上方沉積第二介電層；

在所述第一介電層和所述第二介電層中形成第二接觸孔；

在所述第二接觸孔中沉積第二導電材料從而形成第二接觸插塞，其中所述第二接觸插塞與所述柵極結構電連接；以及

基本上在所述第二介電層中形成互連結構，所述互連結構與所述第一接觸插塞電連接；

其中所述第二導電材料與所述第一導電材料不同，且所述第二導電材料具有比所述第一導電材料低的電阻。