[發明專利]一種基于PCB基板的表面處理方法無效
| 申請號: | 201110322983.7 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103065976A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 無錫世一電力機械設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 蘇州市新蘇專利事務所有限公司 32221 | 代理人: | 楊曉東 |
| 地址: | 214192 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 pcb 表面 處理 方法 | ||
1.一種基于PCB基板的表面處理方法,包括芯片切割、貼裝、導線鍵合,其特征在于,包括以下步驟,步驟a:對PCB基板類產品待處理表面利用氮氣進行等離子處理;步驟b:對PCB基板類產品待處理表面噴涂助粘劑溶液,使之附著在待處理表面;步驟c:助粘劑形成涂層后,進行后道封裝程序。
2.根據權利要求1所述的基于PCB基板的表面處理方法,其特征在于:所述步驟a或b中待處理表面包括PCB基板、連接導線、芯片。
3.根據權利要求1所述的基于PCB基板的表面處理方法,其特征在于:所述步驟a中,將待處理材料的表面與等離子體入射的夾角控制在30-90度之間,抽真空使得腔體內真空度小于0.2托,射頻發生器發出高頻波,使腔體內的氮氣成為等離子體,射頻波功率330+/-100瓦,作用時間35+/-20秒,氮氣的流量20+/-15標準立方厘米。
4.根據權利要求1所述的基于PCB基板的表面處理方法,其特征在于:對PCB基板類產品待處理表面噴涂助粘劑溶液的活性成分是硅烷偶聯劑(R1-O)2-Si-R2-Y,其中有機溶劑含量為96%-99%,助粘劑活性成分含量為1%-4%,助粘劑溶液的使用量為8ml/m2-80ml/m2。
5.根據權利要求1所述的基于PCB基板的表面處理方法,其特征在于:所述步驟b中,助粘劑溶液均勻噴涂在待處理材料表面,助粘劑的涂層厚度為10-80nm。
6.根據權利要求1所述的基于PCB基板的表面處理方法,其特征在于:對PCB基板類產品待處理表面噴涂助粘劑溶液的活性成分是3-氨丙基硅三醇,溶劑含量為96%-99.5%,活性充分含量為0.5%-4%,助粘劑使用量為10ml/m2-90ml/m2,溶劑揮發后存留的活性納米層的厚度在10-90nm之間。
7.根據權利要求1所述的基于PCB基板的表面處理方法,其特征在于:對PCB基板類產品待處理表面噴涂助粘劑溶液的活性成分是丁二烯基三乙氧基硅烷,溶劑含量為97%-99.9%,活性充分含量為0.1%-3%,助粘劑使用量為5ml/m2-90ml/m2,溶劑揮發后存留的活性納米層的厚度在8-90nm之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





